「核心提示」

长鑫的十年与一个超级周期。

作者 | 张经纬

编辑 | 邢昀

国内的存储龙头赚大钱了。

2026 年 8 月 28 日，长鑫科技发布了 2026 年上半年业绩，其中收入 1503.1 亿元，同比增长 873.64%，归母净利润 776.1 亿元。在 A 股所有公司中排名第十。

财报显示，净利润增长主要得益于全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配等，全球 DRAM 产品供不应求，价格呈现大幅上涨趋势，带动公司主要 DRAM 产品销售毛利大幅增长所致。

截至 2026 年 6 月底，长鑫主营业务毛利率为 84.84%。

在股市上，长鑫同样战绩不俗。上市当天，长鑫收盘价格为 49.5 元，相比发行价上涨 471.6%，在这之后，截至 8 月 28 日，累计涨幅近 20%。

" 谁领导了存储器技术，谁就能称雄整个集成电路产业。"2005 年，长鑫科技董事长朱一明曾下过这样一个判断。如今，这家他一手创办的企业，用一份半年报证明了这句话的分量。

从 " 烧钱黑洞 " 到 " 现金奶牛 "，长鑫花了十年时间，但半年利润远超亏损总额。

在 2025 年成功扭亏为盈、实现少量盈利后，长鑫在 2026 年上半年的营收 1503.1 亿元，同比增长近 9 倍；归母净利润达到 776.1 亿元。而此前财务数据显示，公司截至 2025 年底累计未弥补亏损 366.5 亿元。

在存储行业，长鑫并非孤例，" 投入多年，一朝回本 " 是行业的老剧本。类似的事情也在三星的身上发生过。

1983 年，三星正式进军 DRAM 领域。一年后，三星建成第一条 DRAM 生产线并量产 64K DRAM，但随即撞上全球半导体衰退。到 1986 年底，三星半导体业务累计亏损超过 3 亿美元，股权资本全部亏空。

转机出现在 1987 年。日美半导体摩擦导致 DRAM 全球短缺，价格猛涨，三星凭借低谷期攒下的产能瞬间回血。到 1987 年底，三星 DRAM 业务所获利润完全抵消了此前所有累计亏损。此后几十年，存储行业经历了多轮周期，三星存储的利润也随之暴跌暴涨。

这种经营状态的根源在于 DRAM 的周期性，DRAM 的价格会因为供需端的大幅变化暴涨暴跌，同时前期产线投资耗费巨大。这种行业规律在美光、SK 海力士也同样能够印证：它们也在同一时间经历了从进军 DRAM ——半导体衰退带来多年亏损——行业转机盈利最终补平先前损失的过程。

三家企业从建设到投产，耗时 3 到 6 年不等，回本周期受市场价格、需求、产能利用率等多重因素影响波动极大。

长鑫的回本周期更是长达十年，这是因为面对的市场环境更复杂。

80 年代的 DRAM 厂商面对一个竞争格局尚未固化的市场，几十家厂商，日美韩混战，后来者尚有机会通过逆周期投资、技术追赶来分一杯羹。但近几年的存储市场，三星、SK 海力士、美光三巨头拥有技术、产能、客户关系的全方位壁垒。

理论上，这样的市场不会给后来者任何机会，但长鑫还是杀出了一条血路，因为踩上了 "AI 超级周期 " 的节奏。

2024 年以来，AI 算力需求爆发，这提高了 DRAM 的需求。根据 TrendForce 的数据，2025 年全球 DRAM 现货价格大涨超 410%，2026 年一季度合约价继续环比暴涨 80%-95%，长鑫的毛利率随之从 2023 年的 -2.19% 飙升至 2026 年上半年的 84%。

AI 大模型的训练与推理，本质是海量数据的高速读写、传输和运算过程，需要搭配多个 GPU 进行并行计算。GPU 缓存有限，训练时必须把数据暂存在 DRAM 中随时调入。根据美光的数据测算，AI 服务器中 DRAM 容量是普通服务器的 8 倍。

AI 服务器的存储通常使用 HBM 技术，即将 DRAM 压缩并联，能提供更快的存储效率。HBM 的更高利润让三星、SK 海力士、美光三大巨头将大多数先进产能转向 HBM 生产，而通用消费级 DRAM 产能被大幅压缩，出现巨大供给缺口，这是长鑫的主战场。

不过，长鑫也在财报中提示，当前人工智能产业正处于基础设施集中投资建设期，但其商业化应用仍处于持续拓展过程中，公司报告期内相关领域内的收入占比相对较低。

不光是外部环境，在地缘冲突背景下，国产存储的渗透率提升也是大趋势，长鑫是中国大陆唯一实现 DRAM 大规模量产的原厂，其产品已进入小米、OPPO、vivo、联想、华为等主流供应链。

这当中也有长鑫自己的战略和技术发力：长鑫采取了激进的跳代策略，跳过 17nm 中间制程，直接落地 16nm（1Z）工艺体系，对标国际主流 DDR5 规格。长鑫在 2024 年底开始量产 DDR5，并逐步缩减 DDR4 产能。

市场、竞争者和自身策略共同促成了业绩爆发。而未来的长鑫能否持续增长则取决于两个问题：

首先，AI 算力到底是削平了周期还是扩大了周期？

不同的行业人士给出了不同的观点。乐观派认为，AI 正在 " 抹平 " 周期性。原因在于，AI 需求是指数级、结构性的，而非线性、可预测的。2026 年，AI 预计将消耗全球 2/3 的 DRAM 产能， AI 模型参数每几个月就翻一番，对内存的需求还没有看到天花板。

摩根士丹利首席半导体分析师 Joseph Moore 在 2026 年 6 月发布的研报中提出 " 芯片通胀 "（Chipflation）概念，认为本轮涨价不是普通周期，而是一次结构性重置。这意味着，存储的 AI 算力需求会脱离原有的周期性框架，DRAM 的价格不会暴跌。

另一方面，悲观派则认为 AI 反而放大了周期性。因为，AI 需求的弹性极大，一旦 AI 资本开支放缓，存储需求可能断崖式下跌。

BlueBox Asset Management 基金经理 William de Gale 表示，存储行业往往会经历巨大的起伏：" 每当人们开始宣称存储周期已经消失时，我怀疑情况依然会像过去一样——然后一切又会迅速恶化。"

高盛在看好短期行情的同时明确预警：尽管本轮景气周期拉长，但 2027 下半年至 2028 年全球新增产能集中释放后，存储涨价动能大概率放缓。

财报中，长鑫也提示，行业持续迭代优化人工智能模型算法，存算一体、片上缓存等新型硬件架构与技术方案也在持续探索中。前述技术路线若实现大规模产业化应用，可能改变现有以云端 GPU/AI 加速卡集群搭配 DRAM 的主流算力部署方式，削弱人工智能对 DRAM 市场的驱动作用。

目前，存储的高利润正在刺激企业进行新一轮扩产。美光将 2026 财年资本开支从 200 亿美元上修至 250 亿美元，并指引 2027 年超 350 亿美元，两年近乎翻倍；SK 海力士于 2026 年 8 月宣布投入近 400 亿美元在韩国进行扩产；三星 2026 年资本开支计划超 700 亿美元。

在这样一个状况下，长鑫能不能维持技术上的竞争力，以及吃到 HBM 这个 AI 超级周期最大的蛋糕，这背后是技术代差的问题。

在 DRAM 领域，三星、SK 海力士已采用 12-14nm 的 D1a/D1α 和 D1b/D1β 工艺制造 DDR5。在 HBM 领域，SK 海力士已量产 HBM3E 并推进 HBM4，三星、美光也在快速跟进。其他存储厂商与这三家还存在一到两代的差距。

这种差距除了存储研发技术本身，也有光刻机的原因。美国对华禁售 EUV 光刻机，并联合荷兰、日本收紧先进 DUV 光刻机出口。因此，光刻机供应近几年始终处于不确定的状态。

长鑫目前正在布局 VCT 垂直晶体管、4F² 单元结构等前瞻性方向。这种 " 换道超车 " 的思路在理论上可以降低对最先进光刻设备的依赖，有助于未来提升存储密度，但在工程实现上仍面临良率、成本、可靠性等多重挑战。

长鑫科技的半年翻盘，是中国半导体产业的一个里程碑。它证明了，在极致残酷的存储行业，后来者并非完全没有机会；它也证明了，在地缘冲突和 AI 变革的双重背景下，国产替代四个字背后，是真实的市场需求和商业回报。

但故事远未结束。对于长鑫而言，366.5 亿元的历史亏损可以用半年利润填平，但成为下一个美光、海力士，可能还需要更多的智慧和时间。