数天前，英伟达推出了 NVHBM。这是一种定制 HBM，进一步扩展了 NVLink Fusion 生态系统，为 XPU 带来更高的内存性能和效率。亚马逊的 Annapurna Labs 将成为首个与 NVLink Fusion 合作开发 NVHBM 技术的公司，助力打造下一代半定制 AI 基础设施。

据 DigiTimes 报道，三星正在配合英伟达，开发 8 层堆叠 HBM4E，将用于 NVHBM，速率在 17Gbps 至 18Gbps 之间。如果情况属实，三星有望在 HBM4E 时代的定制 HBM 竞争中抢得先机。

今年 5 月，三星宣布开始向全球范围内的主要客户交付业界首批 12 层堆叠 HBM4E 样品。其采用了 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺制造 DRAM 芯片，搭配 4nm（SF4）工艺的基础裸片（Base   Die），初始速率为 14Gbps，每堆栈最高可达 3.6TB/s 的带宽，比起 HBM4 提高了 20% 以上，12 层堆叠提供了 48GB 容量，比起上一代产品也提高了 30% 以上。

前一代时间三星确认，HBM4E 项目进展顺利，很快会带来速率为 16Gbps 的产品。同时三星计划根据客户的需求，另外再提供 32GB（8 层堆叠）和 64GB（16 层堆叠）配置。目前来看，当时三星所说的 8 层堆叠 HBM4E 有可能就是按照英伟达要求的设计。

虽然过去这些年里，HBM 一直朝着更多堆叠层数的方向发展，但是并不代表低堆叠设计就没有生存空间，更低的 DRAM 用量及更高的良品率，可以降低成本，提升出货规模，更有利于大规模生产。

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