7 月 16 日开启申购的长鑫科技，是 2026 年 A 股最大 IPO，发行价 8.66 元，对应估值 5791 亿，募资额超募后能到 666 亿，比中芯国际保持的科创板募资纪录高 34 亿。

网上传的 " 中签赚 80 倍 " 是误读，80 倍浮盈属于 2023 年拿 0.108 元持股价的 6000 多名员工，打新中一签的收益目前机构估算约 2 万。

这次发行的 66.88 亿股，占发行后公司总股份的 10%。网上申购的中签率 0.47%，中签号共 770.22 万个。

长鑫 2016 年在合肥成立，前身是当地代号为 "506 项目 " 的国产 DRAM 突围项目。DRAM 是电子设备里存储临时数据的核心芯片，之前国内完全依赖进口，三星、SK 海力士、美光三家外企占了全球 90% 以上的市场，垄断已超三十年。

长鑫是国内目前唯一实现 DRAM 量产的企业，2025 年四季度全球市场份额 7.67%，排第四。

现有合肥、北京三座 12 寸晶圆厂，月产能合计 28-29 万片，采用 IDM 模式，从设计到制造自主完成。

这家公司此前连续两年亏损，2023 年亏 163.4 亿，2024 年亏 71.4 亿，最初内部测算要到 2026 到 2027 年才能扭亏，结果 2025 年底就先盈利 18.75 亿。

2026 年一季度营收 508 亿，同比上涨 719%，归母净利润 247.6 亿，同比上涨 1688%，日均进账约 5.6 亿。

2026 年上半年最新预告归母净利润 500 到 570 亿，同比上涨 2244% 到 2544%。增长主要来自两个因素：AI 算力拉动的 DRAM 超级周期，以及 2025 年下半年启动的存储芯片涨价潮。

这次 IPO 最受关注的是员工账面收益。长鑫前后有两期员工持股计划，第一期在 2021 年 9 月，公司刚量产 DDR4，授予价 1.05 元 / 股，覆盖 3596 人；

第二期在 2023 年中，公司处于亏损低谷，授予价压到 0.108 元 / 股，覆盖 3164 人，合计 6760 人次，均通过 " 合肥集鑫 " 持股平台持有，发行前该平台持有 50.37 亿股，是公司第四大股东。

按 8.66 元的发行价计算，第一期员工浮盈约 8 倍，第二期浮盈近 80 倍。创始人朱一明此前还让出 7.68 亿股，这部分须待上市满 3 年后，分 10 个自然年逐步发放给在职员工，本人不参与分成。

朱一明为清华本硕，此前曾创办兆易创新，是国内第一家上市的存储芯片设计公司。二次创业做长鑫时，他辞去兆易创新总经理职务，立下军令状：公司未盈利前，自己 0 薪 0 奖金，该状态维持了 7 年。

普通员工的首发前股份有锁定期，朱一明让出的部分需等 13 年才能全部兑现，" 一夜暴富 " 仅为申购节点的账面数字。

本次发行价对应估值按 2025 年扣非净利润计算的摊薄市盈率为 308 倍，高于半导体行业平均 76 倍、可比公司 135 倍的水平。

若按 2026 年动态净利润计算，假设全年归母净利润超 1000 亿，发行价对应市盈率将降至 5.8 倍左右。

机构当前预测分歧较大，保守方看上市后市值 1-2 万亿，乐观方看 3-4 万亿，差异主要来自对 DRAM 周期走势及长鑫 AI 高端内存进展的判断。

招股书显示，本次募资 579 亿中 295 亿用途明确：130 亿投技术升级，75 亿改量产线，90 亿做前瞻研发，剩余超募资金暂未披露使用方向。

当前三星、SK 海力士已量产 HBM3E，下一代 HBM4 已进入客户送样阶段，长鑫目前仍在攻关 DDR5、LPDDR5 的量产良率，AI 服务器用高端内存与头部厂商还有 1-2 代代差。

DRAM 属强周期品类，2025 年下半年到 2026 年上半年正处于涨价周期高点，后续若进入下行区间，业绩波动会被放大。

# 热爆趣创赛 #