当地时间 9 月 3 日，市场研究机构 Counterpoint Research 发布了全球 DRAM 市场分析报告显示，2026 年二季度全球 DRAM 市场总营收同比飙升 385%，环比增长 57%。

长鑫存储拿下 10% 全球 DRAM 市场

从具体厂商表现来看，虽然三星电子（38%）、SK 海力士（25%）、美光（24%）仍牢牢占据着全球 DRAM 市场前三，但是中国 DRAM 制造商长鑫存储（CXMT）增势迅猛，在今年第二季度在全球 DRAM 市场营收份额当中的占比已提升至 10%，同比增加了 4 个百分点，环比增加了 2 个百分点，排名第四。

这也是长鑫存储的季度 DRAM 市场份额首次达到两位数百分比。在 2023 年之时，长鑫存储在全球 DRAM 市场营收份额占比还不到 1%，但得益于 AI 热潮所带来的 DRAM 需求爆发和价格飙升，长鑫存储的市场份额从去年第二季度的 4% 迅速增长到今年第一季度的 8%，今年第二季度又增长到 10%，可谓是增速非常惊人。在头部三大 DRAM 原厂同样保持营收暴涨的态势下，长鑫存储能够取得这样的成绩，实属不易。

需要指出的是，虽然 Counterpoint Research 在今年 8 月初公布的 DRAM 市场分析报告当中，预计 2026 年第二季度全球 DRAM 市场，长鑫存储的营收市场份额为 7%。但是，随着今年 8 月底长鑫存储母公司——长鑫科技增速惊人的半年度财报的正式公布，显然是超出了 Counterpoint Research 此前的预期，因此不得不在最新的报告当中将长鑫存储的市场份额修正到 10%。

财报显示，长鑫存储 2026 年上半年实现营业收入 1503.1 亿元，同比暴增 873.64%；归属于上市公司股东的净利润 776.05 亿元，而去年同期为亏损 23.32 亿元。这一业绩已远超公司 2025 年全年水平。基于之前公布的一季度业绩计算，长鑫科技二季度营收为 995.1 亿元，同比暴涨 977.4%，环比增长约 95.9%；归母净利润达 528.43 亿元，同比扭亏，环比增长 113.4%。

对比三大 DRAM 原厂的二季度的营收及增速来看：三星第二季营收额 171.5 万亿韩元，同比增长 130%、环比增长 28%；SK 海力士第二季营收 79.3187 万亿韩元，同比增长 257%，环比增长 51%；美光 2026 财年第三季度（截至 2026 年 5 月 28 日）营收为 414.56 亿美元，同比增长 346%，环比增长 74%。显然，长鑫科技二季度营收的同比和环比增速均远超前三大 DRAM 原厂。

但是，我们也能看到三星和 SK 海力士二季度营收的同比和环比增速均低于整个市场的增速，美光的营收同比增速也低于整个市场的增速，这主要是由于这三大 DRAM 原厂自去年四季度以来将更多的产能转向了毛利率更高的 AI 加速器所需的高带宽内存（HBM）产品，这导致了常规 DRAM 产品产出减少。此前美光就曾公开表示，一份 HBM3E 的产出，需要消耗 3 份 DRAM 的产能。而随着常规 DRAM 的供应减少，导致这类产品的价格大幅飙升。最新的相关研究显示，常规 DRAM 产品的利润率已经与 HBM 持平，甚至超过了 HBM。

在此背景下，主要生产常规 DRAM 的长鑫存储迅速增加产能，抓住了这一市场机遇，推动了其营收、利润的暴涨。相关报道显示，长鑫存储的 DRAM 产品定价仅比韩国和美国同类产品低 5% 至 10%，并非市场新进入者通常采用的深度折扣策略，这意味着其营收增长反映了在供应受限的市场中真实的销量增长，而非通过价格战获得。

DDR 产品性能差距缩小，制造成本仍高于头部厂商

从 DDR 产品性能来看，在 2026 年 2 月 Hardware Unboxed 测试的游戏基准测试中，长鑫存储的消费级 DDR5 产品表现与三星和 SK 海力士同类产品基本相当。

长鑫存储目前已经量产最新的 LPDDR6 内存，首款产品的目标为速率为 12,800 Mbps（12.8 Gbps）——完全在 JEDEC 标准范围内，但比 SK 海力士 1c 工艺 LPDDR6 产品设计达到的 14.4 Gbps 上限低了约 11%。需要指出的是，SK 海力士的 LPDDR6 采用其第六代 10 纳米级（1c）工艺，该工艺使用了 EUV 光刻，最终实现了比 LPDDR5X 速度提升 33%，功耗效率提升超过 20%。

由于 ASML 的 EUV 光刻机和部分高端浸没式 DUV 对华出口受限，目前长鑫存储的 DRAM 产品制造路线图都依赖于 DUV 光刻技术，这在某种程度上阻碍了其技术的演进。

当前，三大 DRAM 原厂的高端 DRAM 产品都已经演进至第五代 10nm 级 ( 1 β / 1b nm ) 制程，并且三星和 SK 海力士在第四代 10nm 级 ( 1 α / 1a nm ) 制程就开始引入了 EUV 光刻，美光则是在第六代 10nm 级 ( 1 γ /1-gamma ) 开始引入 EUV 光刻。

虽然 DRAM 制造商也能够通过 DUV 多次曝光达到 EUV 单次曝光的效果，但是每次额外的曝光都会引入位置误差，这些误差会累积并降低良率。同时，多次曝光也会带来生产周期的拉长和生产成本的上升。

根据 SemiAnalysis 的建模和晨星分析师 Wei Jingjie 的独立成本分析显示，相比三星、SK 海力士和美光的平均水平，长鑫存储的每比特结构性成本劣势超过 30%。尽管长鑫存储存在这样的成本劣势，但是在常规 DRAM 缺货、价格大涨的背景下，长鑫存储今年上半年的主营业务毛利率仍高达惊人的 84.84%。

为什么 15% 是关键门槛？

对于理解长鑫存储的战略地位，最重要的市场份额数字不是 10%，而是 15%。

Counterpoint Research 研究总监 Hwang Min-sung 在加入 Counterpoint 之前曾在三星电子以及高盛和瑞信从事半导体卖方研究超过 30 年，他在最新的报告中直言不讳地表示："15% 是长鑫存储必须跨过的门槛，才能获得持续投资下一代晶圆厂的资金。"

这一数字的并非理论而是基于历史依据。中国台湾 DRAM 制造商——南亚科技、华亚科技、茂德在 2008 年全球市场份额跌至 15% 以下时失去了竞争 viability（生存能力）。Hwang 表示："DRAM 制造商份额跌至 15% 以下，将无法为下一代晶圆厂融资，并萎缩至约 3% 的份额，沦为 niche（利基）地位。这就是长鑫存储必须跨越的线，他们现在所做的一切都是为了率先到达那里。"

要想获得 15% 的市场份额，仅靠常规 DRAM 市场可能难以实现。因为未来常规 DRAM 市场可能并不会像现在那样有利，当 2028 年左右，三星、SK 海力士和美光完成其 HBM 产能扩张、HBM 供需恢复平衡时，更多的产能将会被重新导向常规 DRAM 市场，常规 DRAM 价格将会下滑，届时长鑫存储的成本劣势将会成为影响利润率的关键因素。

长鑫存储 2028 年市场份额将达 18%

从长鑫存储的收入结构来看，长鑫存储目前仍有近 98% 的营收来自常规 DRAM 产品，例如 DDR4/DDR5、LPDDR5X，以及最新量产的 LPDDR6（小米 18 Fold 将首发采用）。HBM 产品尚未实现量产销售，这也使得长鑫存储的业务结构和利润率在未来的竞争中存在 " 脆弱性 "。对此，长鑫存储正在努力扩大服务器 DRAM 的出货，其来自服务器市场的营收占比也从 2024 年的 8.4% 提升到了 2025 年的 26.5%，反映了其向更高价值链推进。

最新的消息显示，长鑫存储已经与字节跳动、腾讯和百度等签署了长期协议，这些中国国内云基础设施大厂已成为长鑫存储最稳定、价值最高的客户群体。字节跳动于 2026 年 7 月与长鑫存储签署了一份价值超过 70 亿美元的五年期服务器 DRAM 供应协议。阿里巴巴集团持有长鑫存储约 5% 的股份，并且也是其主要客户。

野村分析师 Donnie Teng 预计长鑫存储的份额将在 2028 年底达到 18%，将轻松跨过 15% 的门槛。投资者 Dan Niles 则提出了更为激进的观点，认为中国到 2030 年可能占据全球 DRAM 市场 30% 的份额。

Counterpoint Research 的基线预测是在长鑫存储 IPO 时发布的，其当时预计长鑫存储到 2028 年的比特份额约为 11%，到 2035 年将达到 15% 的营收份额门槛，这是一个更为保守的预测，反映了长鑫存储在未来常规 DRAM 市场不太有利时的增速放缓。

长鑫存储今年 7 月已完成科创板的 IPO，获得了近 560 亿元融资主要用于扩大产能和下一代技术的研发。这也将助力长鑫存储持续提升竞争力，提升市场份额。

编辑：芯智讯 - 浪客剑