美光科技（NASDAQ: MU）CEO 桑贾伊 · 梅赫罗特拉宣布，公司计划在美国工厂扩建上投入超过 2500 亿美元。这一激进扩张战略旨在提升 DRAM 产能，并为高带宽内存（HBM）的大规模生产奠定基础，以期在由 SK 海力士和三星主导的 AI 存储市场中抢占更多份额。

AI 需求重塑存储市场周期

尽管存储市场传统上随个人电脑和智能手机周期波动，但微软、Alphabet、亚马逊和 Meta Platforms 等超大规模云服务商对 AI 基础设施的强劲需求，正在改变这一格局。HBM 堆栈依赖大量先进 DRAM 晶圆及复杂封装技术，这正是美光此次投资的核心领域。通过扩大产量，美光致力于实现 40% 的 DRAM 产能本土化，以缩小与海外竞争对手的差距，构建更可持续的增长轨迹。

构建全方位本土制造生态

在美光现有的美国制造布局中，纽约正建设一个包含多达四个晶圆厂的综合体，专注大规模 DRAM 生产；爱达荷州和弗吉尼亚州则侧重于研发加速与运营现代化。通过多年期的连续建设，美光正打造从晶圆制造到先进封装的完整本土生态系统，对标 SK 海力士和三星在亚洲的整合运营模式。此举旨在将此前零散的投资转化为 cohesive 平台，巩固其在 DRAM 及 AI 优化 HBM 领域的领先地位。

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