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ViP 设备篇:需要半导体级曝光机吗?
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ViP 是维信诺自主研发的无金属掩模版 RGB 自对位像素化技术,它通过光刻图形化方式定义 OLED 像素结构,彻底摆脱了 FMM(精细金属掩模版)的物理束缚。

上一篇我们聊了 ViP 在工艺端的变化(点击回顾 ViP 工艺篇)。而工艺的改变,必然也对设备提出新要求。

【ViP 官方解答】系列第二篇,我们聚焦设备:ViP 需要半导体级的曝光机吗?蒸镀设备又会有什么变化?

Q1:ViP 光刻和芯片光刻一样吗?

提到光刻,很多人会自然联想到芯片制造中的高端光刻设备。其实在显示产业中,光刻早已是一项成熟且广泛应用的制造方式,无论是 TFT 背板,还是面板中的多道图形化工艺,都离不开光刻。

半导体芯片光刻追求的是纳米级(几纳米到十几纳米)的线宽精度,而 ViP 做的是微米级像素图形化,OLED 像素开口通常在几微米到百微米量级,采用的是显示面板行业成熟的光刻设备,精度需求、设备复杂度和成本都远低于半导体纳米级光刻。可以说,用光刻这套成熟工艺来做微米级像素,属于典型的 " 降维应用 "。

Q2:ViP 给蒸镀设备带来的变化?

在 FMM 蒸镀路线中,蒸镀设备的能力围绕三大核心技术展开:蒸镀技术、真空技术、对位技术,其中高精度对位更是核心难点,尤其是当 PPI 越来越高、基板尺寸越来越大时,对位精度要求和工艺复杂度也随之提升。

ViP 从原理上绕开了这个难题。它通过光刻图形化定义像素,走的是 " 自对位 " 路线:1. 先在基板上预先制作隔离柱结构," 圈定 " 像素位置;2. 完成隔离柱后,进行整面蒸镀,将发光材料均匀沉积在整个基板上;3. 通过光刻图形化工艺,选择性地去除不需要的材料,只保留目标像素区域内的发光材料。

(如图,子像素位于 2D 隔离柱结构之间)

这给蒸镀工艺带来三个根本性变化:一是移除了核心难点,金属掩模版与玻璃基板间的高精度对位的依赖不复存在;二是发力方向更聚焦,蒸镀设备能力可以更聚焦真空控制和蒸镀均匀性两项基础能力;三是对位不再是硬约束,设备的选择空间和协同空间随之打开。

设备是基础,材料是核心。摆脱了 FMM 的束缚,ViP 对 OLED 材料体系又会带来什么影响?需要一套全新的材料吗?

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