8 月 12 日，在韩国举行的 "2026 下一代光刻与图案化会议 "（2026 Next-Generation Lithography + Patterning）上，三星电子技术副总裁朴昌民（ChangMin Park）表示，公司计划从 1 纳米（A10）制程节点开始，引入 ASML 的高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机进行量产。这一时间点预计在 2030 年左右。

朴昌民透露，三星曾一度希望将 High NA EUV 技术用于 2 纳米（SF2）及 1.4 纳米（SF1.4）节点的量产，但经过评估后认为，该技术在现阶段的应用仍不够成熟，因此决定推迟。三星相信，对于 A10（1 纳米）及更先进的节点，High NA EUV 光刻机将成为必需的工具。

High NA EUV 光刻机的数值孔径（NA）为 0.55NA，高于当前标准 EUV 光刻机的 0.33NA。更高的数值孔径允许打印更小的电路尺寸，从而实现单次图案化，避免了传统低数值孔径（Low NA）EUV 光刻机为实现更小制程而必须采用的多重图案化工艺。

虽然利用 Low NA EUV 光刻机通过多重曝光来制造更小的电路，会增加制造成本、工艺复杂度和缺陷率。但是，单台 High NA EUV 光刻机售价高达 3.5 亿至 4.1 亿美元，几乎达到了 Low NA EUV 光刻的两倍。

尽管 ASML 的 High NA EUV 光刻机已于两年前开始发货，但其在先进制程中的实际应用进度已出现多次延迟。台积电高管去年就曾表示，其后续的 A14（1.4 纳米级）及之前的制程的量产都不会采用 High NA EUV 光刻机。

直到今年 7 月 15 日，ASML 宣布，英特尔 Foundry 正在 Intel 18A 工艺节点上采用 ASML High NA EUV 技术生产其部分英特尔 Core Ultra 3 系列处理器。英特尔 Foundry 成为了业界首家采用 High NA EUV 生产大量逻辑产品的公司。

三星则预计，搭载 High NA EUV 技术的 1 纳米芯片将在 2030 年左右进入大规模生产阶段。在此之前，三星将使用现有的 Low NA EUV 光刻机，通过多重图案化等工艺在 2029 年量产 1.4nm（SF1.4）制程。

编辑：芯智讯 - 浪客剑