Power Integrations（以下简称：PI）近期正式宣布推出额定电压达到 2200V 的 PowiGaN ™氮化镓（GaN）技术，进一步提升氮化镓功率器件的耐压等级，为 AI 数据中心、新能源汽车、光伏、高压直流基础设施等高压电力系统提供新的技术方案。

相比传统高压功率方案，2200V PowiGaN 技术兼具高耐压、高频开关能力以及高功率密度优势，有望推动氮化镓技术进入此前主要由碳化硅（SiC）占据的应用电压区间。

氮化镓凭借高电子迁移率以及低开关损耗优势，近年来已经在快充、电源转换等领域得到广泛应用。不过，随着 AI 数据中心、新能源汽车以及新能源基础设施向更高电压、更高功率密度方向发展，功率器件也需要进一步提升耐压能力。

此次推出的 2200V PowiGaN 技术，将 PI 现有高压氮化镓产品能力进一步提升。此前，PI 已经推出 750V、900V、1250V 以及 1700V 等级的 PowiGaN 产品，而 2200V 版本进一步拓展了氮化镓器件的应用范围。