从 10 月 13 日开始，纳微半导体便进入疯涨模式，仅用 6 个交易日，实现 107.8% 的涨幅： $ 纳微半导体 ( NVTS ) $

这波暴涨建立在此前已经涨超 330% 的情况下，二次腾飞是有新的变量发生吗？

先来简单介绍下纳微半导体，公司是一家美国功率半导体企业，核心技术为 GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）功率器件，专注于高能效电源转换领域，是全球最早专注商业化 GaN 功率芯片的公司之一。

其产品主要用于手机快充、电源适配器、新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器等。

最近一年，纳微半导体业绩很差，今年二季度的营收只有 1449 万美元，同比下滑 29.2%：

业绩下滑主要是 GaN 快充市场竞争激烈，纳微半导体主动退出相关市场，聚焦于高端产品。叠加中美半导体科技战及贸易战，下游客户，如小米、安克创新、OPPO 等转向自研或采购中国厂商产品。

但是，今年 5 月，英伟达宣布与纳微半导体合作开发下一代 800 伏高压直流（HVDC）架构，为包括 Rubin Ultra 在内的 GPU 提供支持的 "Kyber" 机架级系统供电。

随着 GPU 性能升级，数据中心功率需求爆炸性增长，数据中心总功率从 10 – 20 MW 增长至 100 MW+。

传统数据中心使用低压交流（AC）配电，效率有限（70%-80%），而功率不断提升导致电缆损耗剧增、热管理困难、电源体积过大、成本与碳排放激增。

800V 高压直流（HVDC）架构可以解决上述问题，成为下一代数据中心转型方向：

800V 高压直流架构必须采用高压功率器件，其中，SiC（碳化硅）支持高压、耐温，用于电网到直流转换（SST 阶段）；GaN（氮化镓）高频、高效率，用于 DC/DC 模块和处理器供电阶段。

纳微半导体同时具备 GaN + SiC 技术，是极少数能完整覆盖三层电源架构的厂商，公司预计 2030 年数据中心 800V 高压直流市场规模达 26 亿美元：

纳微半导体去年的营收才 8300 万美元，800V 数据中心市场无疑打开了新的增长空间。

得益于技术领先及美国身份，纳微半导体成功打入英伟达供应链，实现了逆天改命。而最近的暴涨，是在 10 月 13 日（美东时间）举行的 OCP 大会上，英伟达发布了《800 VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》白皮书，明确采用 800 VDC 架构作为未来 AI 数据中心的核心解决方案。

与此同时，纳微半导体宣布在研发先进的 800 伏直流氮化镓和碳化硅功率器件方面已取得进展，并推出了一款专为 GPU 电源板上低电压 DC-DC 转换阶段设计的新型 100 伏 GaN 场效应晶体管产品组合。

虽然 800V 架构大势所趋，但目前还处于取样试验阶段，等大规模应用需要到 2026 年底及 2027 年。

而且，800V 数据中心市场规模预计为 26 亿美元，虽然高功率市场竞争不算激烈，但届时纳微半导体能拿到多少市场份额犹未可知。

假设拿下 50% 的市场，年收入也不过 13 亿美元，数据中心市场的盈利能力较高，纳微半导体预计能超过 50%，纵使按照 30% 的净利率算，纳微半导体当下的市盈率也在 10 倍左右。

这样的远期估值虽然不高，但毕竟要到 2030 年才能实现，实在过于遥远。

除了数据中心市场大客户在北美外，移动、新能源汽车、储能、逆变器市场主要在中国，在美国半导体对华极限打击下，中国客户会放心采购纳微半导体的产品吗？

而且，功率半导体技术门槛远低于 CPUGPU 等逻辑芯片，在数据中心市场，纳微半导体也不是完全没有对手，港股的英诺赛科同样打入了英伟达供应链：

由此来看，纳微半导体最近的暴涨更像是事件驱动下的投机炒作，至于最后能否幻化为收入，还需时间变现，等待的过程，变量可太多了！ $ 英诺赛科 ( 02577 ) $