证券之星 09-04
捷捷微电获得发明专利授权:“一种单向可控硅芯片及其制造方法”
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证券之星消息,根据天眼查 APP 数据显示捷捷微电(300623)新获得一项发明专利授权,专利名为 " 一种单向可控硅芯片及其制造方法 ",专利申请号为 CN202110363301.0,授权日为 2024 年 9 月 3 日。

专利摘要:提供本发明公开了一种单向可控硅芯片及其制造方法,芯片包括盆形阴极区、阳极区、长基区、盆形短基区、环形门极、阳极、阴极、表面钝化膜,制造方法包括以下步骤:硅单晶片选择;硅片抛光;氧化;双面光刻阴极区对通隔离窗口;磷予沉积;双面光刻短基区对通窗口;离子注入铝;去胶;对通扩散;光刻正面阳极区窗口和背面短基区窗口;双面离子注入硼;双面推结;去除背面氧化层;背面阴极区扩散;光刻引线孔;正面蒸镀铝膜;反刻铝电极:用反刻版进行光刻;合金;背面喷砂;背面蒸镀电极;芯片测试;锯片;包装。本发明具有器件底板直接安装在散热器上并接地,且具有低热阻的优点;同时克服了封装过程中底部焊料与短基区短路的风险。

今年以来捷捷微电新获得专利授权 18 个,较去年同期增加了 260%。结合公司 2024 年中报财务数据,今年上半年公司在研发方面投入了 1.34 亿元,同比增 9.4%。

数据来源:天眼查 APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成,不构成投资建议。

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