中微公司 2024 年业绩再次提高，四季度延续了前三季度的高增长，主要产品刻蚀设备保持竞争优势，薄膜设备不断突破，另一方面公司在高端照明和显示领域的设备不断升级，围绕集成电路前道工序开拓新设备品类，呈平台化发展趋势。

1 月 15 日，中微公司（688012.SH）发布的业绩预告显示，2024 年预估实现营业收入 90.65 亿元、扣非归母净利润 12.80 亿 -14.30 亿元，分别同比增长 44.73% 和 7.43%-20.02%。中微公司以刻蚀机和薄膜设备为主打产品，2024 年刻蚀设备同比增长 54.71%，薄膜设备中，MOCVD（新型气相外延生长技术）设备同比下降 18.11%，LPCVD（低压力化学气相沉积法）薄膜设备实现首台销售。

技术层面上，中微公司的等离子刻蚀设备技术能力已经达到 5nm 及以下；产能方面，固定资产规模大幅提高，生产及研发基地不断扩张。公司预计 2025 年或有 10 余类薄膜沉积设备产品交付客户，顺应下游的需求增长，扩大在主要客户产品线上的占有率，订单及业绩增速有望保持高位。

收入增长迅速

分类型看，2024 年，中微公司刻蚀设备销售 72.76 亿元，同比增长 54.71%；MOCVD 设备销售 3.79 亿元，同比下降 18.11%；LPCVD 薄膜设备 2024 年实现首台销售，收入达 1.56 亿元。

中微公司针对芯片制造中关键工艺的高端产品不断获得市场认可，多款新产品形成重复订单，成为收入增长的重要引擎。例如，LPCVD 薄膜设备 2024 年累计出货超 100 个反应台。2019-2023 年，公司营收由 19.47 亿元增长至 62.64 亿元，复合增长率超过 30%，扣非归母净利润由 1.48 亿元增长至 11.91 亿元，复合增长率超过 60%。

2024 年前三季度的生产及发货状况均反映公司在手订单充足，支撑后续营收的快速增长。截至 2024 年三季度末，公司存货和合同负债分别为 78.22 亿元和 29.88 亿元，同比分别增长 91.18% 和 118.82%。前三季度生产专用设备 1160 腔，同比增长 310%，对应产值约 94.19 亿元，同比增长 287%；新增订单为 76.4 亿元，同比增长约 52%，其中刻蚀设备新增订单 62.5 亿元，同比增长约 54.7%，新产品 LPCVD 新增订单 3 亿元，开始启动放量。

从历年三季报数据来看，中微公司的毛利率较为稳定，自 2021 年前三季度起毛利率保持在 40% 以上。盈利稳定的另一面，公司固定资产规模迅速扩大，2023 年四季度之前，固定资产占资产总额的比例在 3% 左右，四季度末攀升至 9.23%，2024 年三季度末达到 24.99 亿元，占资产总额的比例为 9.89%，产能布局提升显著；同时，固定资产周转率由 2023 年前三季度的 9.21 次下降至 2024 年前三季度的 2.46 次，产能尚未充分释放。

此外，财务指标反映出公司的实际运营策略正在发生变化，货币资金占资产总额的比例首次下降至 30% 以下，资金使用效率有所提高；净营业周期自 2023 年第一季度起首次超过 400 天，主要因存货周转天数拉长，但公司的资产减值损失变化不大，未大量计提存货跌价损失。

为应对外部风险，中微公司过去 17 年公司和美国设备企业及美国政府发生数次法律诉讼，四次胜诉，两次和解。

据公司公告，2024 年 12 月，美国国防部正式将中微公司从中国军事企业清单（下称 " 清单 "）中移除。

2024 年 1 月，美国国防部曾将中微列入清单，8 月中微公司发起诉讼维权，最终美国国防部在审查后作出撤销决定。2024 年 12 月，美国商务部工业与安全局修订了对中国半导体出口管制措施新规则，中微公司在该次修订新规事件中未进入实体清单。

保持高研发强度

2024 年，全球半导体销售额从 2023 年的 5269 亿美元增长至 6112 亿美元新高，增幅约为 16%，据预测，2025 年市场规模将进一步增长 12.5% 至 6874 亿美元。市场对中微公司开发多种新设备的需求快速增长，2024 年公司显著加大研发力度，研发投入约 24.50 亿元，较上年增长 94.13%，其中计入研发费用 14.15 亿元，占公司营业收入的比例为 15.61%，较上年增加了 2.57 个百分点，处于公司的历史高位。

技术创新是半导体高端制造业的灵魂，中微公司目前在研发的薄膜沉积类产品一共有 20 多类，2023 年已经付运客户端的设备有 6 类，2024 年、2025 年，公司会新增 10 余类产品交付客户。为推动供应链的稳定、安全，保持较高的设备交付率，公司还持续开发关键零部件供应商，销售额取得快速增长。

值得关注的是，公司 2024 年三季度末资产负债表中的资本化开发支出已积累至 9.66 亿元，未来转入无形资产后，摊销额会增加，减少利润，但在保持规模效益的前提下，影响相对可控。

公司在新产品开发方面取得了成效，近两年新开发的 LPCVD 薄膜设备已有多款进入市场，其他多个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

继 2023 年南昌生产和研发基地投入使用后，中微公司在上海临港约 18 万平方米的生产和研发基地于 2024 年 8 月正式投入使用，约 10 万平方米的总部大楼暨研发中心尚在建设。相对于 1700 余人的历史员工规模来说，环境相对宽松，未来生产运营管理、成本费用控制需持续加强。

2023 年，公司的人均创收和创利分别为 364 万元和 104 万元，人均创利处于行业较高水平。中微公司采取了股权激励等措施留住人才，2020 年、2022 年、2023 年和 2024 年，公司均制定了第二类限制性股票激励计划，授予价格分别为每股 150 元、50 元、50 元和 76.10 元。特别在近三年，激励对象人数占比超过 90%。

扩品类谋增长

中微公司的等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从 65 纳米到 14 纳米、7 纳米和 5 纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。薄膜沉积设备如期完成多道工艺验证，更多应用正在验证当中，部分产品已收到客户重复订单。

刻蚀环节根据控制技术的不同，干法刻蚀主要包括电感耦合等离子体（下称 "ICP"）刻蚀和电容耦合等离子体（下称 "CCP"）刻蚀等类型。公司生产的设备已在 28nm 以上的绝大部分 CCP 刻蚀、28nm 及以下的大部分 CCP 刻蚀中得到应用；ICP 刻蚀方面，公司针对 60 多条客户的生产线实现量产，覆盖逻辑、功率、电源管理、微电机系统等芯片和器件，还用于生产 DRAM 和 3DNAND 存储芯片。

国际上先进芯片制程从 7-5nm 阶段向更先进工艺方向迈进，当前光刻机受光波长的限制，需要结合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺进行曝光。

该技术路线的外部效应扩散至照明及显示领域，利用刻蚀工艺能够实现更精细的照明、更优质的显示效果。

薄膜设备在发光二极管、氮化镓和碳化硅功率器件等市场的应用发展迅速，这些器件所需的 MOCVD 设备是最重要的核心设备。与集成电路在很多种设备、很多步循环的制造工艺不同，制造三五族化合物器件主要靠 MOCVD 设备实现，而且 MOCVD 设备的大部分市场在中国本土。

中微公司开发的碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、Micro-LED 等器件所需的多类 MOCVD 设备取得了良好进展，已进入验证阶段，后续有望规模化生产。值得一提的是，公司该类 MOCVD 设备的市占率超 70%，在行业领先客户的生产线上大规模使用；Mini-LED 显示所用的 MOCVD 设备亦成为国内外绝大多数 LED 生产线的主流设备。

和大多数平台型设备制造商类似，中微公司的产品开发范畴还在扩张。公司通过投资布局了光学检测设备板块，并计划开发电子束检测设备，不断扩大对多种检测设备的覆盖。随着微观器件越做越小，检测设备的市场地位有所提高，增长速度很快，成为前道工序第四大设备门类，占半导体设备市场总额约 11%。

产品交付目前依赖位于南昌和上海临港的生产、研发基地，公司计划于 2025-2030 年期间投资约 30.5 亿元成立成都子公司，建设研发中心、生产基地及配套设施。该项目面向高端逻辑及存储芯片，开展化学气相沉积设备、原子层沉积设备及其他关键设备的研发和生产工作。项目总投资约 30.5 亿元，计划于 2025 年开工，2027 年投入生产，预计 2030 年年销售额达 10 亿元。