快科技 2 月 19 日消息，韩国首尔中央地方法院第 25 刑事部（主审法官池贵渊）宣布，三星电子前高管金某，向中国企业泄露韩国核心半导体技术，违反《防止信息泄漏及保护产业技术相关法律》，一审判处有期徒刑 7 年。

同时被起诉的原分包商员工方某、金某，分别被判处 2 年 6 个月、1 年 6 个月有期徒刑。

金某曾任三星电子部长，被指控在 2016 年跳槽至中国新成立的某半导体公司时，泄露了三星电子 DRAM 内存芯片相关制程工艺的信息。

方某曾任三星电子旗下半导体设备供应商 A 公司的团队负责人，被指控与金某等人合谋，窃取公司半导体沉积设备的技术数据，并泄露给中国公司。

韩国法院认定，检方对被告的大多数指控成立，并认为 " 以金某为首的被告人窃取了受害公司的重要数据，并将其用于为一家中国公司制造产品 "、" 金某泄露了三星电子的技术数据并加以利用 "。

法院还指出：" 这是妨碍相关领域良好竞争和贸易秩序的严重犯罪，对韩国国家产业竞争力造成重大负面影响。考虑到中国竞争对手已经进入量产阶段，三星电子的损失将是巨大的。"

随着 DeepSeek 大模型的大规模部署，将刺激对于大容量 DRAM 芯片和 AI 芯片的需求，2025-2026 年将是中国半导体产业的关键时期。

随着技术升级与量产规模扩大，中国 DRAM、NAND 半导体产业的固定成本将进一步降低，在全球市场更具竞争力。

长鑫存储、长江存储、兆易创新等企业正积极扩产，预计未来两年将显著提升市占率，并减少对进口技术的依赖。