钛媒体 App 2 月 25 日消息，SK 海力士发布消息称，韩国京畿道龙仁半导体集群内的 SK 海力士一期晶圆厂于昨日正式破土动工。SK 海力士去年 7 月通过董事会决议，决定投资约 9.4 万亿韩元（约合 66 亿美元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。SK 海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计 2027 年 5 月竣工。该工厂建成后将成为高带宽存储器（HBM）等新一代 DRAM 存储芯片生产基地。