快科技 2 月 26 日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV 是当今世界上最先进的 EUV 极紫外光刻机，支持 High-NA 也就是高孔径，Intel 去年抢先拿下了第一台，目前已经在俄勒冈州 Fab D1 晶圆厂安装部署了两台，正在紧张地研究测试中。

Intel 资深首席工程师 Steve Carson 透露，迄今为止，两台 EUV 光刻机已经生产了 3 万块晶圆，当然不算很多，但别忘了这只是测试和研究使用的，并非商用量产，足以证明 Intel 对于新光刻机是多么的重视。

Steve Carson 还强调，完成同样的工作，新款光刻机可以将曝光次数从 3 次减少到只需 1 次，处理步骤也从 40 多个减少到不足 10 个，从而大大节省时间和成本。

Intel 曾透露，新光刻机的可靠性是上代的大约两倍，但没有透露具体数据。

ASML EXE:5000 光刻机单次曝光的分辨率可以做到 8nm，比前代 Low-NA 光刻机的 13.5nm 提升了多达 40％，晶体管密度也提高了 2.9 倍。

当然，Low-AN 光刻机也能做到 8nm 的分辨率，但需要两次曝光，无论时间、成本还是良品率都不够划算。

全速率量产的情况下，ASML EXE:5000 光刻机每小时可生产 400-500 块晶圆，而现在只有 200 块，效率提升 100-150％之多。

Intel 将会使用 High-NA EUV 光刻机生产 14A 也就是 1.4nm 级工艺产品，但具体时间和产品未定，有可能在 2026 年左右量产，或许用于未来的 Nova Lake、Razer Lake。

将在今年下半年量产的 Intel 18A 1.8nm 工艺，仍旧使用现有的 Low-NA EUV 光刻机，对应产品包括代号 Panther Lake 的下代酷睿、代号 Clearwater Forest 的下代至强。

二者都已经全功能正常运行，并开展了客户测试。