美光（Micron）宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的第六代 10nm 级别 1 γ（1-gamma）DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光之前在 1 α（1-alpha）和 1 β（1-beta）DRAM 节点的领先优势，1 γ DRAM 节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧 AI 设备（如 AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。

得益于 CMOS 技术的进步，包括下一代高 K 金属栅极技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸，为 1 γ DRAM 节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。美光还加入了 EUV 光刻技术，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。此外，美光通过在全球各制造基地开发 1 γ DRAM 节点，为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

提升性能 - 能够支持从数据中心到端侧设备的多种内存产品实现计算扩展，满足未来 AI 工作负载的需求。

降低功耗 - 采用下一代高 K 金属栅极 CMOS 技术，结合设计优化，带来了更好的散热表现。

提升容量密度产出 - 采用 EUV 光刻技术，通过设计优化和制程创新，使单片晶圆的容量密度产出较上一代提升 30% 以上，从而实现更高效的内存供应扩展能力。

美光 1 γ DRAM 节点将首先应用于其 16Gb DDR5 DRAM 产品，并计划逐步整合至内存产品组合中，以满足 AI 产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。该款 16Gb DDR5 产品的数据传输速率可达 9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达 15%，功耗降低超过 20%。