可以说 EUV 光刻机已经成为了现在炙手可热的先进产品，基于 EUV 打造的芯片产品也将成为行业的标杆，不过大家平时熟悉的基于 EUV 光刻打造的芯片为各种处理器，事实上如今 DRAM 颗粒也开始陆续引入 EUV 工艺，以取得更加出色的频率以及传输带宽，以满足 AI 计算与推理所需的严苛性能需求，目前美光就表示引入了 EUV 工艺用于 DRAM 颗粒的制造，从而让大容量内存也能实现超高频率。

根据美光自己的说法，目前内存的制造工艺已经进化到 1 γ nm，与处理器所采用的制程工艺有所不同的是，内存颗粒的制程工艺通常都是小步快跑，按照现在的进度差不多最先进的制程为 10nm，而 1 γ nm 就是一个接近 10nm 工艺的一个工艺，当然除了美光之外，三星以及海力士已经在数年之前将 EUV 工艺进入到 DRAM 颗粒的制造之中，当然目的就是为了让 DRAM 颗粒的性能更加出色，与上代工艺相比，1 γ nm 可以实现最高 30% 的晶体管密度提升。

与 CPU 一样，先进工艺可以让产品的频率达到一个新的高度，对于内存也同样如此，过去高频内存通常用于主流内存容量，例如 16GB 以及 32GB，而一些面向服务器或者工作站内存尽管容量很大，但是其频率却并不高，一方面是为了保持内存的稳定，还有一方面就是制程工艺没到火候，如今随着 DRAM 颗粒工艺制程的提升，生产兼顾超高频以及大容量内存也就成为了可能，据悉美光可以实现让 128GB 容量的内存频率在 9200MHz。

显然这些内存是为了 AI 运算等高性能应用场景做准备，有了它们，AI 厂商在从事 AI 训练以及推理也将得心应手，从而达到更高的效率。