证券之星 03-05
甬矽电子获得发明专利授权:“MEMS封装结构和MEMS封装结构的制备方法”
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证券之星消息,根据天眼查 APP 数据显示甬矽电子(688362)新获得一项发明专利授权,专利名为 "MEMS 封装结构和 MEMS 封装结构的制备方法 ",专利申请号为 CN202210497929.4,授权日为 2025 年 3 月 4 日。

专利摘要:本发明的实施例提供了一种 MEMS 封装结构和 MEMS 封装结构的制备方法,涉及半导体封装技术领域,该 MEMS 封装结构包括基板、ASIC 芯片、MEMS 芯片和进音盖体,进音盖体包括一体设置的内层盖体和外层盖体,内层盖体具有第一空腔,外层盖体具有第二空腔,第一空腔和第二空腔相互连通,从而构成了前音腔,增大了进音空间的体积,提升声压 / 声音信号,从而提升了芯片的灵敏度和信噪比。同时,通过多个进音孔实现进音,避免了芯片直接与外部声压 / 声音相接触,因此当声压 / 声音变化超过一定值时,通过第一空腔和第二空腔能够起到缓冲作用,避免高强度声压 / 声音冲击而导致硅振膜破裂,大大提升了 MEMS 芯片的适用性。

今年以来甬矽电子新获得专利授权 11 个,较去年同期增加了 37.5%。结合公司 2024 年中报财务数据,2024 上半年公司在研发方面投入了 9398.43 万元,同比增 52.57%。

数据来源:天眼查 APP

以上内容为证券之星据公开信息整理,由智能算法生成(网信算备 310104345710301240019 号),不构成投资建议。

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