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传SK海力士与英伟达达成协议:独家供应Blackwell Ultra使用的12层HBM3E
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英伟达将于 2025 年 3 月 17 至 21 日在美国加利福利亚州圣何塞举办 GTC 2025 活动,创始人兼首席执行官黄仁勋将登台亮相,在北京时间 3 月 19 日凌晨 1 点举行主题演讲。在这次 GTC 2025 活动上,预计英伟达将推出基于 Blackwell Ultra 架构的 GB300。

据 TrendForce报道,SK 海力士已经与英伟达达成了协议,将独家供应 Blackwell Ultra 使用的 12 层堆叠 HBM3E,预计会进一步巩固其在 HBM 领域的领导地位。同时 SK 海力士也在英伟达下一代 Rubin 架构 GPU 的 HBM4 供应上处于领先位置,传闻 2025 年 6 月之前将出货 HBM4 样品,预计第三季度就能开始量产。

虽然最新消息称,三星的 8/12 层堆叠 HBM3E 有可能在 2025 年 5 月底至 6 月初获得英伟达的认证,并有望在 2025 年上半年内量产 HBM3E。不过比起 SK 海力士,三星还是要落后太多。SK 海力士早在 2024 年 3 月就量产了 8 层堆叠 HBM3E,同年 9 月又量产了 12 层堆叠 HBM3E。

SK 海力士的 12 层堆叠 HBM3E 采用了 12 颗 3GB DRAM 芯片,与现有 8 层产品相同厚度下,容量提升 50%,实现了现有 HBM 产品中最大的 36GB 容量。为了实现此目标,SK 海力士将单个 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%,并采用硅通孔技术(TSV)技术垂直堆叠。SK 海力士还解决了将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题,将 MR-MUF 工艺应用到新产品中,放热性能较上前一代提升了 10%,并增强了控制翘曲问题,从而确保了稳定性和可靠性。

外界估计,GB300 将是英伟达在 GTC 2025 上的亮点,其逻辑结构与 GB200 相似,共有 8 个 12 层堆叠的 HBM3E 模块,容量达到 288GB。

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