盖世汽车讯 据外媒报道，先进碳化硅（SiC）功率半导体技术公司 NoMIS Power 宣布在改善 SiC MOSFET 的短路耐受时间（SCWT）方面取得了重大突破。这项创新解决了限制 SiC 技术在高功率应用中广泛采用的关键挑战之一。