编译 | 梁颖琳

编辑 | 云鹏

智东西 4 月 10 日消息，据《首尔经济日报》报道，三星电子近日宣布启动 " 梦想制程（꿈의 반도체 공정）"1nm 芯片研发，预计 2029 年后实现量产，旨在通过颠覆性技术突破追赶台积电（TSMC）。

三星电子正在为下一代半导体技术发起总攻，这标志着韩国巨头正在向比 2nm 更先进的制程技术迈进。尽管当前在 3nm、2nm 节点落后于台积电，但三星计划通过颠覆性技术路线在 2029 年后实现 1nm 工艺量产，目标直指 AI 芯片市场的爆发式增长需求。

一、打破设计框架：1 纳米节点的技术革新

1nm 节点需要彻底突破现有芯片设计框架，涉及高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）等下一代设备的全面导入。

三星内部已将部分参与 2nm 研发的工程师调任至 1nm 项目组，显示出对该项目的战略重视。

目前三星公开的最新制程路线图显示，2027 年计划量产的 1.4nm 工艺仍是其最先进节点，而台积电已于去年宣布将在 2026 年下半年启动 1.6nm 工艺量产，技术代差仍客观存在。

二、制程良率差距拉大，三星加速技术突围

三星在 3nm 和 2nm 工艺上与台积电存在技术差距，台积电的 2nm 工艺良率已经超过 60%，而三星的良率相对较低。

三星电子副会长李在镕上月特别强调 " 继承技术优先传统 "，要求管理层 " 用世界不存在的技术创造未来 "。

这一表态被解读为对制程竞赛受挫的危机应对，也是推动 1nm 提前研发的直接动因。

此外，三星还在加大研发投入，计划引入高数值孔径 EUV 光刻设备，以期在 1nm 制程上实现技术突破，从而在未来的 AI 芯片市场中重新确立领先地位。

三、AI 芯片技术竞赛下，技术代差成新筹码

随着 AI 训练算力需求每 6 个月翻倍，芯片制程的突破成为决定性因素。

台积电通过新增 1.6nm 节点抢占过渡期市场，而三星选择直接跨越至 1nm，试图通过技术代差实现弯道超车。

三星代工事业部新任社长韩进满近期密集拜访 DeepX 等本土 AI 芯片初创企业，显示其正加速构建产业协同。

结语：制程革命能否重塑竞争格局？

从当前 3nm 节点的良率差距，到 2nm 节点可能扩大的技术代差，三星的 1nm 战略既是技术追赶，也是路径重塑。

高数值孔径 EUV 设备的引入将使单片晶圆成本显著增加，这种 " 烧钱式 " 技术竞赛可能重塑全球代工市场格局。

对于 AI 芯片开发商而言，制程节点的突破不仅是性能提升，更是决定未来算力生态的关键变量。

当台积电在 2026 年启动 1.6nm 量产时，三星能否在 2029 年用 1nm 工艺扭转战局，这场技术赛跑的胜负或将在未来三年见分晓。

来源：首尔经济日报、Samsung Newsroom