上个月，台积电（TSMC）宣布有意增加 1000 亿美元投资于美国先进半导体制造。此前台积电已投资了 650 亿美元在亚利桑那州凤凰城建造先进半导体设施，建造了两座晶圆厂。台积电将以此为基础，预计投资总额将达到 1650 亿美元，扩大投资计划包括三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心。

据 TrendForce报道，随着 2025 年第一季度财报的发布，台积电对其美国扩张计划提供了更清晰的信息。亚利桑那州凤凰城 Fab 21 的第二座晶圆厂已于 2024 年第四季度完工，不过还需要几个季度才能投入生产，而第三座和第四座晶圆厂将于今年晚些时候开始建设。台积电表示，美国客户需求强劲，因此选择加快当地扩张步伐。

亚利桑那州凤凰城 Fab 21 的第一座晶圆厂采用的是 4nm 工艺生产线，第一座晶圆厂将提升至 3nm 工艺，计划 2027 年至 2028 年量产，第三座和第四座晶圆厂将采用更先进的制程技术，预计是基于 2nm 制程节点的 N2 和 A16 工艺。

此外，台积电董事长兼首席执行官魏哲家反驳了外界关于日本熊本第二座晶圆厂延期建设的说法，表示市场对成熟及特种制程技术的需求依然强劲。除了日本外，台积电还在推进德国德累斯顿的建厂计划，这是欧洲第一家支持 FinFET 的纯代工业务晶圆厂。