【太平洋科技快讯】近日，英特尔在 2025 年 VLSI 研讨会上公布了更多关于其最新制程节点Intel 18A 的细节，展现了其在半导体领域的最新突破，并与台积电的 2nm 制程展开直接竞争。

英特尔 18A 制程采用了两项关键创新技术：RibbonFET 环绕栅极晶体管和 PowerVia 背面供电技术。RibbonFET 技术通过全环绕栅极设计，实现对电流的精确控制，从而提升晶体管性能和能效。而 PowerVia 技术则是业界首创，将供电线路移至芯片背面，释放了正面布线空间，提高了单元封装密度和电力传输的稳定性。

在 PPA ( 性能、功耗、面积 ) 方面，Intel 18A 制程表现出色。在标准 Arm 核心架构的芯片上，Intel 18A 在 1.1V 电压下实现了 25% 的速度提升和 36% 的功耗降低。此外，其面积利用率也高于前代 Intel 3 制程，意味着更高的面积效率和更高密度设计的潜力。

市场分析指出，Intel 18A 制程的性能值为 2.53，略高于台积电 N2 的 2.27。尽管在晶体管密度方面可能略逊一筹，但 Intel 18A 凭借其创新的背面供电技术，在面积效率和电力传输稳定性方面扳回一城。TechInsights 的分析也显示，Intel 18A 在性能方面具有优势。

英特尔预计将首先在其 Panther Lake SoC 和 Xeon 的 Clearwater Forest CPU中采用 Intel 18A 制程。这些产品主要面向高性能计算和服务器市场。市场预计，搭载 Intel 18A 制程的终端产品最早将在 2026 年问世。如果良率问题得到有效控制，Intel 18A 有望成为台积电 2nm 制程的有力竞争者，并在云计算、AI 等领域推动英特尔市场份额的增长。