盖世汽车讯 4 月 17 日,氮化镓(GaN)功率 IC 和碳化硅(SiC)技术公司纳微半导体(Navitas Semiconductor)宣布推出其最新的 SiCPAK ™功率模块。该模块采用环氧树脂灌封技术,并由专有的沟槽辅助平面 SiC MOSFET 技术驱动,经过严格设计和验证,适用于最严苛的大功率环境,优先考虑可靠性和高温性能。目标市场包括电动汽车直流快速充电器(DCFC)、工业电机驱动器、可中断电源(UPS)、太阳能逆变器和功率优化器、储能系统(ESS)、工业焊接和感应加热。
盖世汽车讯 4 月 17 日,氮化镓(GaN)功率 IC 和碳化硅(SiC)技术公司纳微半导体(Navitas Semiconductor)宣布推出其最新的 SiCPAK ™功率模块。该模块采用环氧树脂灌封技术,并由专有的沟槽辅助平面 SiC MOSFET 技术驱动,经过严格设计和验证,适用于最严苛的大功率环境,优先考虑可靠性和高温性能。目标市场包括电动汽车直流快速充电器(DCFC)、工业电机驱动器、可中断电源(UPS)、太阳能逆变器和功率优化器、储能系统(ESS)、工业焊接和感应加热。
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