此前有报道称，由于来自国内 DRAM 厂商的竞争压力越来越大，三大内存原厂三星、SK 海力士和美光都在考虑调整 2025 年的生产策略，可能会逐步停产 DDR3 和 DDR4 内存，并将产能转移到利润更高的 DDR5 和 HBM 产品上。

据相关媒体报道，三星已告知客户，多款 1y nm（第二代 10nm 级别）工艺制造的 DDR4 即将停产，包括 8/16GB 的 DDR4 SODIMM/UDIMM 产品，另外还有 1z nm（第三代 10nm 级别）工艺制造的 8Gb LPDDR4 也将逐步停产，进入 EOL 阶段。三星要求客户 6 月前完成下单，预计 10 月至 12 月之间完成出货。

有业内人士表示，目前中低端智能手机所采用的 LPDDR4 很大部分订单已经被长鑫存储（CXMT）拿走，导致三星将资源投向 LPDDR5 以上的高端内存产品。1z nm 工艺制造的 DDR4 产量也在快速减少，预计 2026 年也会进入 EOL 阶段。由于 ODM/OEM 厂商仍然有 DDR4 的需求，华邦电子和南亚科技打算填补三星留下的市场空缺。

有消息称，国内 DRAM 厂商也在推进高端存储产品的开发，预计 2026 年至 2027 年左右推出国产 HBM3 及 HBM3E 产品。由于来自国内 DRAM 厂商的激烈竞争及美国关税政策带来的风险增加，全球不少 DRAM 和 NAND 闪存厂商在资本支出方面仍然保持谨慎。