今年初英特尔在 ISSCC 2025 上，介绍了备受期待的 Intel 18A 工艺技术，其中强调了 SRAM 密度的重大改进，取得了不错的进步。随后英特尔官网更新了 Intel 18A 工艺的信息，表示已经为客户项目做好准备，将于 2025 年上半年开始流片。近期英特尔新任首席执行官 Lip-Bu Tan（陈立武）也强调了 Intel 18A 正在按既定计划推进，预计今年下半年随着 Panther Lake 的推出，将开始大规模量产。

据 TomsHardware报道，英特尔准备在 2025 年 6 月 8 日至 12 日于日本京都举行的 VLSI 研讨会上，详细介绍 Intel 18A 工艺，而且已经发布了预览文档。正如之前所预期的那样，相比于 Intel 3，新一代 Intel 18A 在性能、能效和面积（PPA）指标上都有显著提升，为客户端及数据中心打造更具优势的产品奠定基础。

英特尔表示，与采用 Intel 3 工艺制造的相同模块比较，Intel 18A 在相同电压（1.1V）和复杂条件下，Arm 核心子模块的性能提高了 25%，在相同频率和 1.1V 电压下，功耗可降低 36%，另外在低电压（0.75V）下，性能提高了 18%，且功耗降低了 38%。与此同时，Intel 18A 始终可以实现 0.72 倍的面积缩放。Intel 18A 是英特尔首个支持 PowerVia 背部供电技术和 GAA 晶体管架构的制程技术，两项新技术为其带来了明显的 PPA 优势。

在标准单元布局时，Intel 18A 相对于 Intel 3 实现的显著物理扩展：在高性能库（HP）中的单元高度从 240CH 降至 180CH；在高密度库（HD）里则从 210CH 降至 160CH。这意味着垂直尺寸平均减少了约 25%，更紧密的单元架构使得晶体管密度增加，有助于提高面积效率。