快科技 4 月 24 日消息，除了发展 N2、A16、A14 等采用 GAAFET 全环绕晶体管的全新工艺，台积电还在持续挖掘传统 FinFET 立体晶体管的极限，最后一代用它的 N3 系列工艺节点仍在不断演进。

在美国举办的北美技术论坛 2025 上，台积电最新宣布，3nm 级工艺的第三代 N3P 已经在 2024 年第四季度投入量产，第四代 N3X 则会在今年下半年投产。

N3P 就是第二代 N3E 的升级版，面向需要高性能的客户端、数据中心应用，同时保持 IP 与设计兼容。

按照官方数据，N3P 同等功耗下的性能可再提升约 5％，而同等性能下的功耗可再降低 5-10％，另外晶体管密度提升 4％，尤其是 SRAM 缩放的提升较为明显。

苹果 M3、高通骁龙 8 至尊版、联发科天玑 9400/9400+ 等都用的 N3E 工艺，不知道今年的升级换代会不会都上 N3P？还是直奔 N2？

N3X 则是 N3P 的再次升级版，可继续将同等功耗性能提升 5％，同等性能功耗降低 7％。

更关键的是，N3X 支持最高达 1.2V 的电压，从而将频率、性能挖掘到极致，但代价就是漏电率骤然增大最多 250％，因此芯片设计要非常慎重。

根据路线图，台积电 N3 明年还会有 N3A、N3C 两个版本，但未做具体介绍，从定位看 N3C 是超低成本，定位很低。

PS：台积电 N3 其实还有个特殊版本 N3B，但性能和成本都不算太好，大客户中只有 Intel 一家在用，就是 Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤种。