美光（Micron）宣布，正在交付全球首款基于 1 γ 工艺的 LPDDR5X 内存样品。这属于第六代 10nm 级别 1 γ（1-gamma）DRAM 节点产品，速率达到了 10.7Gbps，同时节省 20% 的电量，旨在加速旗舰智能手机上包括人工智能（AI）应用在内的执行数据密集型工作负载，带来更快、更流畅的移动体验和更长的电池续航时间。

为了满足行业对下一代智能手机设计紧凑解决方案日益增长的需求，美光的工程师缩小了 LPDDR5X 封装尺寸，提供了业界最薄的 0.61 毫米封装，相比竞争对手的产品薄了 6%，高度比上一代产品降低了 14%。更为小巧的 LPDDR5X 为智能手机制造商设计超薄或可折叠智能手机提供了更多可能性，同时也改变了移动行业的游戏规则，表明美光致力于让生态系统创造非凡的移动体验。

1 γ 工艺的 LPDDR5X 是美光首款采用 EUV 光刻技术打造的移动解决方案，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。美光还利用包括下一代高 K 金属栅极技术在内的 CMOS 技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸，为 1 γ DRAM 节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。

美光正在向选定的合作伙伴提供基于 1 γ 工艺的 16GB LPDDR5X 内存样品，另外可选 8GB 至 32GB，将出现在 2026 年的旗舰智能手机。