快科技 6 月 9 日消息 ，据媒体报道，三星电子设备解决方案（DS）部门副董事长全永铉宣布，三星将于今年下半年采用第六代 "1c DRAM" 工艺，开始量产下一代 LPDDR6 内存，并计划向高通等科技巨头供货。

面对中国存储厂商长鑫存储（CXMT）已完成 LPDDR5X 内存开发并积极追赶的态势，三星明显加快了 LPDDR6 的自主研发步伐。业内观察认为，长鑫存储有望在 2026 年左右实现其产品的全面量产。

1c DRAM 作为 DRAM 制造的第六代工艺节点，相比前代实现了更高的晶体管密度和更优的能效比。三星通过 " 设计变更 " 策略显著提升了 1c DRAM 的良品率（冷态达 50%，热态达 60%-70%），并计划在韩国华城工厂建设新产线扩大产能。

基于此工艺开发的 LPDDR6 内存，在带宽和功耗表现上均有显著提升，能够满足 AI 模型训练、移动终端高性能计算等对内存性能的严苛需求。

行业消息显示，高通的下一代旗舰芯片 " 骁龙 8 Elite Gen2" 将首发支持 LPDDR6 内存，并计划于今年的骁龙峰会上正式亮相。随着 AI 应用向终端设备下沉，LPDDR6 的高带宽与高能效成为关键竞争力。

三星计划通过向高通等厂商供货，深化在智能手机、笔记本电脑及 AI 服务器市场的渗透，巩固其技术壁垒。此外，三星也将在 HBM4 等高端存储产品中部署 1c DRAM 技术，构建覆盖 AI 全场景的内存解决方案。

为支持 LPDDR6 及 1c DRAM 的量产，三星正积极推进华城工厂新生产线的建设，预计最早于今年年底完成。值得注意的是，三星打破了传统的开发顺序，正同步开发面向 DDR（服务器 /PC）和 LPDDR（移动 / 低功耗）应用的 1c DRAM 产品，以加速其商业化进程。