本月初，美光（Micron）宣布正在交付全球首款基于 1 γ 工艺的 LPDDR5X 内存样品。这属于第六代 10nm 级别 1 γ（1-gamma）DRAM 节点产品，是美光首款采用 EUV 光刻技术打造的移动解决方案，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。美光还利用包括下一代高 K 金属栅极技术在内的 CMOS 技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸，为 1 γ DRAM 节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。

据 TomsHardware报道，近日美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 在 2025 财年第三财季财报电话会议上，介绍了基于 1 γ 工艺的 LPDDR5X 内存情况，表示新产品非常地出色，良品率的提升速度超过了第五代 10nm 级别 1 β（1-beta）DRAM 节点上创造的速度记录，预计本季度内将完成几个关键的产品里程碑。

按照美光的说法，相比于 1 β DRAM 节点，新一代 1 γ DRAM 节点有望将 DRAM 功耗降低 20%，同时性能提升 15%，另外位密度提高了 30%，带来了非常显著的改进。一旦 1 γ DRAM 节点的良品率达到 1 β DRAM 节点相近的水平，转化到生产上，很可能会大幅降低成本。

除了 PLDDR5X 以外，美光在更早之前还将 1 γ DRAM 节点用于 DDR5。Sanjay Mehrotra 强调，美光将在整个 DRAM 产品线中引入 1 γ DRAM 节点，未来还会用于 GDDR7 和面向数据中心的产品。