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近日，氮化镓（GaN）市场风云再起：台积电正式宣布将在两年内全面退出 GaN 代工业务；力积电趁势接下 Navitas 的订单，填补台积电撤退后的产能缺口；英飞凌则全力推进 12 英寸 GaN 产线进程；瑞萨电子暂停碳化硅（SiC）项目、转而加码 GaN；与此同时，ST 与英诺赛科通过战略投资与 " 锁仓 " 延长禁售期，进一步深化绑定关系。这一连串动作，正将 GaN 推向新一轮的内卷。

GaN 凭借更高的开关速度、更低的损耗与更小的尺寸，被视为传统硅器件的 " 潜在继任者 "。在全球能源转型与高能效驱动的背景下，GaN 半导体市场正步入加速成长期。尤其是在亚太、北美、欧洲等核心市场，相关企业正密集布局，争夺未来制高点。

但在这一轮热度背后，GaN 的真正考验正在酝酿—— GaN 能否从快充、消费电源等边缘应用，迈向电动汽车主驱系统等高压核心场景？

台积电抽身，力积电接棒

台积电在 7 月 3 日发表声明称，决定在两年内逐步淘汰其 GaN 半导体代工业务，分析师表示，此举是由于来自中国的竞争侵蚀了该产品的利润率。由于对 GaN 低利润前景感到担忧，台积电已决定逐步淘汰其 GaN 业务，并停止 200 毫米晶圆生产的研发。报道称，该决定是在业务发展高级副总裁张建军的建议下，由董事长兼首席执行官魏哲家于 6 月中旬最终确定的。

此前台积电对 GaN 的押注也很大，例如先后将 6 英寸和 8 英寸厂改为 GaN 产品线。不少厂商还与台积电建立了战略合作，例如罗姆（ROHM）、Navitas Semiconductor（耐能半导体），2024 年 12 月，ROHM 还宣布与台积电建立车载 GaN 功率器件的开发与量产战略合作关系。但是架不住近几年大陆厂商的攻势。台积电表示，正与客户密切合作，确保过渡期顺利进行，并尽力满足客户未来两年的需求，逐步退出 GaN 市场不太可能影响其今年的销售预期。

在此决定影响下，原本委托台积电代工的 Navitas 宣布，未来将逐步将生产从台积电转移至力积电（PSMC）。Navitas 表示，PSMC 预计将在位于竹南的工厂生产额定电压为 100V 至 650V 的 GaN 产品组合，并将于 2026 年上半年首先生产 100V 系列。Navitas 的 GaN 业务增长不错，在 2024 年同比增长超过 50%，在移动和消费领域，Navitas 在 2024 年已获得超过 180 个 GaN 充电器设计订单，目前为全球十大智能手机制造商供货。

另一边 ROHM（罗姆）表示：" 为了维持并深化合作体制，我们将继续融合双方的优势，以适当应对市场和客户需求。作为这一合作的一部分，关于未来（2027 年以后）的开发与生产体制，我们计划探讨和协商多种可能性。"

英飞凌，12 英寸 GaN 量产迈出关键一步

尽管台积电正在退出 GaN 代工，但是另一边英飞凌却正在加大投入。据英飞凌新闻稿称，凭借其强大的 IDM 模式，英飞凌正在推进其在 300 毫米晶圆上的可扩展 GaN 生产，首批客户样品计划于 2025 年第四季度发布。

英飞凌已成为首家在其现有量产基础设施内成功开发 300 毫米 GaN 功率晶圆技术的半导体制造商。在 300 毫米晶圆上生产芯片在技术上比在 200 毫米晶圆上生产芯片更先进，而且效率更高，因为更大的尺寸使每个晶圆的芯片产量增加 2.3 倍。

英飞凌坚信 GaN 市场依然强劲。该公司在新闻稿中表示，GaN 具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的能量损耗，可实现紧凑、节能的设计，非常适合从智能手机充电器到工业机器人和太阳能逆变器等各种应用。

瑞萨放弃 SiC，投身 GaN

在 SiC 大潮下，瑞萨电子曾计划投身 SiC 赛道，但最新消息显示，瑞萨已暂停 SiC 开发。据《日本经济新闻》的报道，这一决定的背后，是电动汽车市场增长放缓以及中国厂商引发的 SiC 芯片供应过剩。

另外一个很重要的因素与合作伙伴 Wolfspeed 的破产重组脱不了干系。早在 2023 年 7 月，瑞萨宣布通过与 Wolfspeed 达成为期 10 年的合作协议，正式进军碳化硅功率芯片市场。协议内容包括瑞萨预付 20 亿美元，锁定 150 mm 与 200 mm 碳化硅晶圆的长期供应。

原计划在 2025 年初，于群马县高崎市的工厂开始电动汽车用功率芯片的生产。但据《日经新闻》透露，该工厂的 SiC 项目团队已被解散。目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市场、部分 SiC 设计小产线，以及为其未来氮化镓器件研发和生产做准备。

瑞萨的 GaN 产品主要基于去年 6 月瑞萨电子所收购的 GaN 企业 Transphorm。最近其推出的三款全新的第四代高压 650V GaN FET —— TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS 和 TP65H030G4PQS 器件采用强大的 SuperGaN 平台，该平台是 Transphorm 公司首创的、经过现场验证的耗尽型 ( d-mode ) 常关型架构，

第四代 Plus 产品采用比上一代第四代平台小 14% 的芯片，实现了 30 毫欧姆 ( m Ω ) 的更低导通电阻 ( RDS ( on ) ) ，导通电阻降低了 14%，导通电阻输出电容乘积品质因数 ( FOM ) 提升了 20%。更小的芯片尺寸降低了系统成本并降低了输出电容，从而提高了效率和功率密度。这些优势使第四代 Plus 器件非常适合注重成本、散热要求高的应用，这些应用对高性能、高效率和小尺寸至关重要。它们与现有设计完全兼容，可轻松升级，同时保留现有的工程投资。

ST 与英诺赛科 " 锁仓 " 合作，

加码产业资本护航

氮化镓（GaN）赛道风起云涌，背后不乏产业资本深度博弈。近日，GaN 功率器件的国内公司英诺赛科（Innoscience）发布公告，确认其基石投资者意法半导体（STMicroelectronics，简称 ST）已主动延长其持有 H 股的禁售期一年。这一 " 锁仓 " 行为，不仅体现出 ST 对英诺赛科未来发展的持续看好，也释放出国际巨头深度参与中国第三代半导体产业链的强烈信号。

早在英诺赛科计划赴港上市期间，ST 就以基石投资者身份加入了这场资本盛宴。ST 作为最大基石投资者之一，与江苏国资背景的混改基金、高端装备产业基金等共同组成了产业资本联盟根据 2024 年 12 月发布的招股章程与配售结果公告，ST 认购了 12,592,100 股 H 股，约占公司已发行 H 股总数的 2.56%，并承诺在上市后六个月内不减持，即初始禁售期至 2025 年 6 月 29 日结束。

而 2025 年 6 月 30 日，在合同即将终止前夕，英诺赛科公告称，ST 已正式书面通知公司，将自愿将禁售期延长 12 个月，至 2026 年 6 月 29 日（含当日）。这意味着 ST 在未来一年内，不会通过任何方式减持相关股份。

通常而言，基石投资者在禁售期结束后会选择部分减持以锁定收益，而 ST 此番 " 反常 " 操作，更像是一种长期价值押注，显示其对英诺赛科技术路线与成长性的高度认可。

资本层面的绑定，其实只是 ST 与英诺赛科合作关系的 " 冰山一角 "。早在 2025 年 3 月，双方就已签署联合开发和制造协议，携手推进 GaN 功率器件的全球化量产。根据协议：英诺赛科可借助 ST 在中国以外的前端晶圆制造能力，生产其 GaN 产品；ST 则可使用英诺赛科在中国大陆的 8 英寸 GaN 产线，进行自家产品的本地制造。

从认购 H 股、签署技术合作协议，到延长禁售承诺，ST 对英诺赛科的 " 真金白银 " 背后，是其对氮化镓技术趋势的坚定判断。

中国玩家迅速崛起

在这轮 GaN 洗牌中，中国企业的位置格外关键。尤其是英诺赛科，英诺赛科是全球首家实现 8 英寸硅基氮化镓（GaN）晶圆大规模量产的 IDM 企业，去年年底成功登陆香港联交所主板上市。

2024 年英诺赛科实现营收人民币 8.285 亿元，同比增长 39.8%。截止 2024 年，英诺赛科的晶圆产能达 1.3 万片 / 月，并计划未来提高到 2 万片 / 月。而且英诺赛科在海外的市场竞争力也不小，2024 年来自海外的营收金额为 1.26 亿元人民币，占总收入的 15.3%，同比大增 118%。

从政策支持角度看，GaN 与 SiC 并列列入 " 第三代半导体 " 重点扶持方向，也获得了相当规模的政府基金注入。但不同于 SiC 几乎成为新能源车的 " 标配 "，GaN 的定位仍模糊。

内卷困局：从 " 快充神话 " 到 " 主驱焦虑 "

从 2018 年首款 GaN 快充问世以来，GaN 迅速成为消费电子圈的宠儿。但过度依赖 " 充电器 " 这一单一场景，也让产业陷入了 " 卷价格不卷价值 " 的死循环。如今，市场对 GaN 最大的期待，是它能否真正进入主驱电源——也就是从 " 边缘 " 进入 " 核心 "，从 " 配角 " 变成 " 主角 "。

Frost & Sullivan 预测，随着 2024 年至 2028 年期间 GaN 功率半导体市场复合年增长率高达 98.5%，到 2028 年，随着各领域应用的多样化，市场规模预计将超过 68 亿美元。届时，GaN 功率半导体将占据全球功率半导体行业的 10.1%。

而推动 GaN 市场发展的两大主要力量除了消费电子，另外一个就是电动汽车。Yole 预计，GaN 在快速充电器和适配器中的应用将不断增长，复合年增长率高达 71.1%，到 2028 年，消费电子产品市场规模将达到 29 亿美元。电动汽车领域渗透率和单车价值的提升，将助力 GaN 市场规模到 2028 年达到 34 亿美元，复合年增长率高达 216.4%。

但要迈进主驱，并不容易。首先是可靠性要求的质变。主驱电源通常服务于汽车主逆变器、大功率工业电机、电动压缩机等场景，对温升、EMI、浪涌承受能力都有极高要求；GaN 虽然效率高、开关快，但在热管理、封装、电流能力上仍需提升。

其次，是生态成熟度。GaN 器件的 " 驾驭 " 难度远高于硅，意味着系统设计厂商要投入更多的时间去适配栅极驱动、电磁兼容、散热管理等问题。在供应链还不稳定、EDA 支持不完全、测试体系不完备的当下，敢 "all in" 的企业仍是少数。

但也不是没有希望。Navitas、英飞凌、Transphorm、英诺赛科等企业正在积极推进高功率 GaN 的商业化验证，特斯拉、丰田、大众等主流车企正将 GaN 用于车载充电器、牵引逆变器和电池管理系统。例如，2025 年 3 月 28 日，马自达与 ROHM 联合开发采用 GaN 的汽车零部件，两家公司将合作打造一套涵盖整车的方案，并在减重和设计方面进行创新。双方计划在 2025 财年推出一款演示车型，并计划在 2027 财年实现实际应用。

结语

当下，GaN 表面看似 " 百花齐放 "，实则已迈入关键分水岭。一场从 " 内卷竞争 " 走向 " 结构突破 " 的进化赛，正在悄然展开。未来两年，不仅是 GaN 厂商们的策略考验，也是 GaN 市场能否向主驱领域破局的关键窗口期。

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