证券之星消息，根据天眼查 APP 数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为 " 一种用于 FinFET 工艺中监测 Fin 间距飘移的电学测试结构和方法 "，专利申请号为 CN202111668933.4，授权日为 2025 年 7 月 22 日。

专利摘要：本发明公开了一种用于 FinFET 工艺中监测 Fin 间距飘移的电学测试结构和测试方法，所述电学测试结构形成有至少两根 Fin，其中一根为非待测 Fin 记为 Fin0，在剩下的 Fin 中选择至少一根为待测 Fin 记为 Finn；Finn 和 Fin0 平行排列，Finn 与 Fin0 之间具有一定距离，构成第一间距；其中，n 为正整数；至少一个第一连接部记为 Link_A、至少一个第二连接部记为 Link_B；Link_A 与 Finn 电连接，Link_B 与 Fin0 电连接。本发明提供的电学测试结构简单、易于制造，适用于 FinFET 工艺生产过程中，对 Fin 制造过程中产生的间距飘移（Pitch Walking）问题进行监控，可以及时发现工艺生产缺陷并有效修正半导体生产过程，提高产品的成品率。

今年以来广立微新获得专利授权 47 个，较去年同期增加了 88%。结合公司 2024 年年报财务数据，2024 年公司在研发方面投入了 2.77 亿元，同比增 33.49%。

通过天眼查大数据分析，杭州广立微电子股份有限公司共对外投资了 16 家企业，参与招投标项目 45 次；财产线索方面有商标信息 132 条，专利信息 228 条，著作权信息 91 条；此外企业还拥有行政许可 56 个。

数据来源：天眼查 APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由 AI 算法生成（网信算备 310104345710301240019 号），不构成投资建议。