Rapidus宣布，在日本北海道千岁市的创新集成制造工厂（IIM-1）已开始其 2nm GAA 晶体管芯片的原型设计，同时初始测试晶圆已进入电气测试阶段。按照 Rapidus 公布的计划，目标在 2027 年开始实现 2nm 工艺的批量生产。

Rapidus 表示，新工厂标志着对传统铸造模式的重大进步，正在重新构想半导体工厂应该如何通过尖端方法和技术实时思考、学习、调整和优化流程，包括：

完全单晶圆前端处理 - 在单晶圆工艺中，可以对单晶圆进行调整，并进行检查，如果成功，则应用于所有后续晶圆。单个晶圆捕获更多数据，使人工智能模型能够得到训练，以改善晶圆生产并提高产量。Rapidus 是首批将完全商业化单晶圆处理的公司之一，这是其快速和统一制造服务（RUMS）的核心。

极紫外（EUV）光刻 - EUV 是实现 2nm 半导体的关键技术之一，先进的光刻工艺对于形成 2nm GAA 结构至关重要，而 Rapidus 是日本第一家安装先进 EUV 光刻设备的公司。此外，2025 年 4 月 1 日，Rapidus 成功完成了 EUV 曝光，时间大约在 2024 年 12 月设备交付三个月后。

目前 Rapidus 正在开发与创新集成制造工厂的 2nm 工艺相兼容的开发套件，并将于 2026 年第一季度发送给高级客户。