近日，JEDEC 固态存储协会公布了最新的 LPDDR6 标准 JESD209-6，旨在显著提升内存速度和效率，适用于包括移动设备和人工智能（AI）在内的多种应用，以满足这些领域不断飙升的市场应用需求。

据 TrendForce报道，包括三星、SK 海力士和美光在内的 DRAM 制造商早已启动了 DDR6 的开发工作，专注于芯片设计、控制器验证和封装模块集成。目前已经完成 DDR6 原型芯片设计，正在与英特尔和 AMD 等内存控制器和平台厂商合作进行接口测试。

在产品支持方面，预计 2026 年起，将会有新款处理器开始支持 DDR6，目标客户包括 AI 服务器、HPC 系统和高端笔记本电脑。不过 DDR6 要真正进入大规模采用阶段，还要等到 2027 年。

JEDEC 去年提供了 DDR6 初步草案，性能和架构方面取得了重大进步，正式规范很快会到来。DDR6 将转向多通道设计，采用 4 × 24 位子通道，而 DDR5 目前是 2 × 32 位设置，这将会带来更好的并行处理、数据流和带宽利用率，尽管也对模块 I/O 设计和信号完整性提出了更高的要求。

预计 DDR6 的速率从 8.8 Gbps 起步，最高至 17.6 Gbps，甚至可能扩展至 21 Gbps。同时 DDR6 采用新的 CAMM2 标准，取代长期使用的 SO-DIMM 和 DIMM 标准，提供了更高的带宽、更高的密度、更低的阻抗和更纤薄的外形尺寸，也解决了传统内存插槽的物理限制。