快科技 7 月 24 日消息，随着生成式 AI、高效能运算（HPC）和数据中心对内存频率与效率需求的快速提升，新一代内存标准 DDR6 正朝着量产普及迈进。

据报道，业界预估 DDR6 将于 2027 年进入大规模普及期。

目前三星、美光与 SK 海力士等全球三大 DRAM 原厂，已率先启动开发计划，聚焦于 DDR6 芯片、控制器与封装模组的技术突破与产品布局。

根据 JEDEC 的推进时间表，DDR6 主规范已于 2024 年底完成草案，LPDDR6 草案也于 2025 年第二季对外发布，预计 2026 年将进入平台测试与验证阶段。

业者分析，DDR6 在效能与架构方面皆实现重大突破，起始速率达 8800MT/s，产品生命周期内最高可达 17600 MT/s，超频模块最终可能达到 21000MT/s 的速度，整体效能较 DDR5 提升约 2 至 3 倍。

在架构方面，DDR6 采用 4 × 24-bit 通道设计，相较 DDR5 的 2 × 32-bit，在平行处理效率、数据流通与频率使用上更具优势，但同时也对模组 I/O 设计提出更高要求。

与此同时，由 JEDEC 标准化的 CAMM2，正成为 DDR6 时代的主流解决方案，CAMM2 结合高频宽、高密度、低阻抗与薄型化设计，成功解决 DDR5 中 288 引脚 DIMM 插槽限制。