作者丨铅笔道 黄小贵

近日，澜起科技股份有限公司（下称澜起科技）向港交所主板更新了招股书。成功上市之后，澜起科技将成为又一家 "A+H" 布局的企业。截至发稿时，澜起科技 A 股市值为 984 亿元。

澜起科技的核心产品是内存接口芯片。在一台服务器中，CPU 想要读取内存里的数据，必须通过内存接口芯片。它起到了提升内存数据访问的速度及稳定性的作用。

在内存接口芯片这一垂直领域，澜起科技处于全球领先地位。于 2024 年按收入计算，澜起科技是全球最大的内存互连芯片供货商，市场份额 36.8%。

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澜起科技创办于 2004 年，创始人是时年 57 岁的半导体专家杨崇和。

杨崇和 1981 年赴美国留学，在俄勒冈州立大学获电子与计算机工程硕士及博士学位。

1990 年到 1994 年，杨崇和在美国国家半导体公司从事芯片设计研发工作。

1994 年，杨崇和回到上海，就职于 " 国内集成电路行业的首家中外合资企业 " 上海贝岭。

1997 年，参与创办 " 中国第一家硅谷式（风投加创业团队）的 IC 设计公司 " 新涛公司，担任总经理，负责研发。

2001 年 4 月，美国半导体著名企业 IDT 公司以 8500 万美元现金的价格收购了新涛科技，" 这一价格相当于当时新浪和搜狐的市值总和 "，给投资人带来了近 10 倍的回报，名列 2001 年中国十大并购案。

杨崇和继续留在 IDT 公司，担任 IDT 副总裁兼中国区总经理，积累了丰富的管理经验。为创办澜起科技打下了基础。

2004 年，杨崇和创办了澜起科技，瞄准的是内存接口芯片。澜起来自苏辙的一句诗 " 止为潭渊深，动作涛澜起 "。

当时，云概念刚刚兴起，谷歌开始布局数据中心业务。杨崇和意识到，数据将越来越重要，连接数据的工具也将越来越重要，" 做内存接口芯片相当于把储存数据的内存和 CPU 之间做了高速连接，可以想象成数据在高速公路上传输 "。

但是内存接口芯片除了在技术上要 " 攻坚 "，在商业上也面临很大挑战：你做出的内存接口芯片得获得做 CPU、做存储、做服务器三方厂商认证，市场才接受你。

2006 年，杨崇和带着刚开发出的芯片去美国拜访英特尔，实测数据令对方吃了一惊：在不牺牲其他指标的前提下，澜起芯片的功耗比业界顶尖水平低了四成。几天后，英特尔派人飞到上海考察，决定投资 1000 万美元技术资金，并停止研发自己的内存接口芯片。

由于芯片研发非常烧钱，需要有一项来钱的业务撑着，澜起科技同时研发电视机顶盒芯片。2012 年，澜起科技 90% 的营收来自机顶盒芯片业务。但随着国家更改通讯技术标准，澜起科技没有获得新标准下的生产许可，这块业务不得不停止。此时，必须有新的资金来源。

2013 年，澜起科技在纳斯达克上市。2014 年，澜起科技被指控业绩造假，遭遇集体诉讼。同年，由国资背景的浦东科投和中国电子投资控股有限公司共同成立的合资公司以 6.93 亿美元完成了对澜起科技的私有化收购。

澜起科技也加大了对内存接口芯片的研发，并把来自这块的营收做到了总营收的 50%。

澜起科技发展进入快车道。

2016 年 -2018 年，澜起科技分别实现营业收入 8.45 亿元、12.28 亿元和 17.58 亿元，实现净利润分别为 9280.43 万元、3.47 亿元、7.37 亿元。

2019 年 7 月 22 日，澜起科技成为首批在科创板上市的企业，上市当天市值暴涨 272.83%，总市值一度超过千亿。

澜起科技进入内存接口芯片赛道时，行业里有近 20 家公司，如今行业只剩 3 家公司，澜起科技也在转型平台型芯片设计公司。

随着生成式 AI 在全世界火爆，AI 应用带动内存和带宽需求，相应带动服务器内存接口及配套芯片的需求持续增加。2024 年，澜起科技营业收入 36.39 亿元，同比增长 59.2%；净利润为 14.12 亿元，同比增长 213.1%。今年第一季度，增长势头持续。澜起科技营业收入 12.22 亿元，同比增长 65.78%；净利润为 5.25 亿元，同比增长 135.14%。

澜起科技前三大客户分别是三星电子、SK 海力士和美光，他们都是全球主要的 DRAM 供应商，且其中两家更是有产品直供英伟达。

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预计 2025 年中国内存接口芯片市场规模将接近 150 亿元。这一增长主要受益于服务器和数据中心需求上升以及 DDR5 等新一代内存技术的商用。中国市场在全球内存接口芯片版图中的占比不断提升。根据报告数据，2024 年中国 DDR5 内存接口芯片市场规模约为 14.27 亿元，而全球 DDR5 内存接口芯片市场规模约为 89.18 亿元。

全球内存接口芯片市场呈高度垄断格局，目前真正具备量产 DDR4/DDR5 内存接口芯片能力的仅有三家公司：中国的澜起科技、日本的瑞萨电子和美国的 Rambus。这三大厂商合计市占率超过 93%，行业 CR3 高达 93.4%。

这主要是由于内存接口芯片技术门槛极高：产品需通过 CPU 厂商、DRAM 厂商和 OEM 厂商的多重认证，要求兼容复杂生态并保证高速信号的稳定可靠。历史上，曾有德州仪器（TI）、英特尔 ( IDT 部门 ) 等参与该领域，但由于壁垒不断提高，这些厂商相继退出，只剩下上述三强存续。

随着主流服务器 CPU 全面支持 DDR5 内存，DDR5 正快速替代 DDR4。全球主要 DRAM 厂商在 2025 年大幅缩减 DDR4 产能，迫使 DDR5 在短期内迅速接替，以满足服务器对高速内存的需求。DDR5 内存接口芯片（如 DDR5 RCD 和 DB）的迭代速度也明显加快。

澜起科技已在业内率先推出 DDR5 第四代 RCD 芯片（支持 7200MT/s），仅两年内完成从 DDR5 第一子代到第四子代的升级。更高数据速率和更强信号处理是技术演进主旋律，例如 Rambus 发布的第四代 DDR5 RCD 将速率提升 50% 至 7200MT/s，满足新一代服务器内存带宽需求。

展望未来，DDR5 内存模块的新形态 MRDIMM（Multiplexer Rank DIMM，多容量秩内存模块）已经出现。瑞萨电子率先推出面向第二代 DDR5 MRDIMM 的完整接口芯片组，包含新型多路 RCD（MRCD）和多路数据缓冲器（MDB），将内存模块速度提升至 12800 MT/s，带宽相比第一代提升。这预示着 DDR5 及其衍生技术仍有巨大提升空间。

在 AI 训练和高性能计算领域，HBM（高带宽内存）因其超高带宽成为焦点。市场预测显示，到 2025 年全球 HBM 存储器市场规模将达到约 150 亿美元，增速超过 50%。HBM 的技术门槛极高，目前主要由韩、美大型存储厂商主导，但也带动了接口技术的新突破。例如 Rambus 正与三星合作开发 HBM4，目标提供每秒数 TB 带宽，性能超越 HBM3。HBM 内存接口以硅中介层和垂直堆叠实现，与传统 DIMM 不同，这为内存接口芯片提出了片上集成的新要求。