上个月有报道称，三星已经开始试产 Exynos 2600，采用了 SF2（2nm）工艺。这表明该款 SoC 已经进入原型生产阶段，良品率目标锁定在 50%，如果最终实现大规模生产，需提高到至少 70% 以上。为了更好的性能表现，三星还需要解决散热问题，避免过热导致的性能下降，这也是过去几年旗舰 Exynos 芯片遇到的难题。

据 Wccftech报道，三星打算在 Exynos 2600 上采用 HPB（Heat Pass Block）技术，以改善芯片的散热问题，让芯片可以保持最佳性能状态。HPB 本质上是作为 Exynos 2600 的散热器，从而提高散热效率，让 SoC 能以最高频率运行更长的世界。

目前三星在 Exynos 系列 SoC，是直接将 DRAM 置于 SoC 之上，新方法是将 HPB 和 DRAM 都直接装在 Exynos 2600 的上面，新增的部分作为散热模块，从而提高热传导效率。在 HPB 的顶部，三星将采用扇出型晶圆级封装（FoWLP），以提高耐热性并提供更强的多核性能。三星最早是在 Exynos 2400 引入扇出型晶圆级封装，现在也将沿用到 Exynos 2600。

根据之前泄露的信息，Exynos 2600 在 CPU 部分采用了 2+6 二丛架构，包含了 2 个 Cortex-X 和 6 个 Cortex-A 内核，频率最高为 3.55GHz。其原型芯片的单核 / 多核基准测试成绩为 2400/9400 分的水平，相比于搭载 Exynos 2500 的 Galaxy S25+ 原型机（单核 2359 分 / 多核 8141 分）并没有太明显的提升。

如果能应用 HPB 技术，或许能让 Exynos 2600 达到更高频率，并保持更长时间。