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闪迪宣布与SK海力士合作,推动HBF高带宽闪存技术标准化
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闪迪(SanDisk)宣布,已经与 SK 海力士签署了一份具有里程碑意义的谅解备忘录(MOU),共同制定高带宽闪存(HBF)规范。这是一项新技术,旨在为下一代人工智能(AI)推理提供突破性的内存容量和性能。通过此次合作,双方希望制定标准化规范、明确技术要求,并探索创建高带宽闪存技术生态系统。

随着 AI 模型变得越来越大、越来越复杂,推理工作负载需要巨大的带宽和更大的内存容量。HBF 专为大型数据中心、小型企业和边缘应用中的 AI 推理工作负载而设计,旨在提供与高带宽内存(HBM)相当的带宽,同时以类似的成本提供 8 至 16 倍 HBM 的容量。

HBF 的设计思路类似于 HBM,以大量 I/O 引脚和多层堆叠结合,相当于高带宽 NAND 闪存。同时两者共享了电气接口,不过适配的介质从 DRAM 切换至 NAND,协议略有变化,所以不完全兼容。HBF 实现了 8 层到 16 层堆叠,可以部分替换 HBM,通过逻辑芯片和中介层连接到 GPU/CPU/TPU,从而提供 HBF+HBM 的自定义组合产品。

近期闪迪成立了技术顾问委员会,以指导高带宽闪存技术的开发和战略,成员包括来自公司内外的行业专家和高级技术负责人。同时还任命了 David Patterson 和 Raja Koduri,在闪迪准备推出 HBF 时,提供战略指导、技术洞察力、市场视角并制定开放标准。

闪迪的目标是在 2026 年下半年交付 HBF 闪存的样品,预计首批采用 HBF 的 AI 推理设备样品会在 2027 年初出现。

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