IT 之家 8 月 12 日消息，美光首席商务官 ( CBO ) Sumit Sadana 在出席美国当地时间昨日举行的 2025 年 Keybanc 技术大会时表示，定制 HBM 内存将在 HBM4 后的 HBM4E 时代正式落地。

Sumit Sadana 提到，从 HBM4 开始 HBM4 内存基础芯片 Base Die 采用逻辑 CMOS 制程，现阶段该芯片主要包含内存接口 IP；而在 HBM4E 世代一些客户希望将 AI xPU 的特定功能电路卸载到 HBM 的 Base Die 中，提升 xPU 的芯片面积利用率，而这就诞生了所谓的 " 定制 HBM 内存 "。

这一转变意味着 HBM 内存不再仅是 AI xPU 的片外缓存拓展，亦是 xPU 逻辑功能的组成部分，定制 HBM 内存无法与 JEDEC 标准 HBM 直接兼容。

另一方面，HBM 基础芯片的定制过程非常昂贵，因此除了英伟达这样的 AI 芯片霸主外大多数 xPU 企业没有足够资源就单个芯片与三大 HBM 内存原厂同时建立定制合作，这意味着其定制 HBM 供应被迫锁定在一至二家原厂上。

这一供需结构变化将深刻改变 HBM 内存市场，形成大量 " 特供 " 定制 HBM 合作。

美光同日宣布将 2025 财年第四财季（IT 之家注：截至 8 月 28 日）的财务数据指引全面上调，其中营收从 107 ± 3 亿美元增至 112 ± 1 亿美元。Sumit Sadana 在解释数据变化时表示，美光并未改变对出货量的预期，营收指引提升与平均单价的走高有关，而这受 AI 与数据中心需求强劲、HBM 挤压非 HBM 的 DRAM 产能影响。