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台积电美国封装设施建设提速:计划2026H2开工,2028年投产
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台积电(TSMC)在今年 3 月宣布,计划增加 1000 亿美元投资于美国先进半导体制造,包括了 3 座新建晶圆厂、2 座先进封装设施、以及 1 间主要的研发团队中心。过去几个月里,台积电加快了亚利桑那州凤凰城 Fab 21 的项目建设,已开工建设第 3 座晶圆厂。另外台积电计划在 Fab 21 附近建造两座专用建筑,在当地提供先进封装服务。

据 TrendForce报道,目前台积电也在加快美国先进封装设施的建设速度,AP1 和 AP2 的现场准备工作正在进行中,预计 2026 年下半年开始建设,2028 年投产。其中 AP1 专注于 SoIC,另外 CoWoS 里的 "CoW" 部分由台积电自己完成,合作伙伴 Amkor 负责 "oS" 部分,而 AP2 专攻的是 CoPoS 封装技术,以满足当地对 AI 和 HPC 计算芯片封装的需求。

台积电原计划 AP1 要到 2028 年才开始兴建,与 Fab 21 的第三阶段建设项目同步,可以为 N2 及更先进的 A16 工艺服务,AP2 则与 Fab 21 的第四 / 五阶段同步,显然现在明显提速,至少提前了一年。

传闻苹果下一代 M 系列芯片将采用 SoIC 封装技术,英伟达的 Rubin 平台 GPU 和 I/O 芯片分别采用 N3P 和 N5B 工艺生产,然后再通过 SoIC 集成,将两个 GPU 模块和一个 I/O 模块组合在一起。此外,AMD 和博通也有望在产品中引入 CoPoS 和 SoIC 封装技术。

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