（全球 TMT2025 年 9 月 3 日讯）SK 海力士（SK hynix Inc.）宣布，已将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）引进韩国利川 M16 工厂。

此举为在全球半导体行业激烈竞争中快速开发并供应满足客户需求的尖端产品奠定了基础。SK 海力士旨在通过与商业伙伴的紧密协作，提升全球供应链的可信度与稳定性。先进的工艺技术对于缩小存储单元尺寸至关重要，这能显著提升生产效率和产品性能。

自 2021 年首次将极紫外光刻技术应用于第四代 10 纳米工艺（1anm）以来，SK 海力士持续扩大该技术在尖端 DRAM 量产中的应用范围。随着行业对极致微缩与高密度化需求的迫近，该公司正全力推进新一代技术系统的组装工作，其性能将超越现有极紫外光刻设备。

作为阿斯麦（ASML）高数值孔径 EUV 产品线的首款量产机型，TWINSCAN EXE:5200B 可实现比现有 EUV 系统小 1.7 倍的晶体管刻蚀，并使晶体管密度提升 2.9 倍。其数值孔径从 0.33 提升至 0.55，性能提升达 40%。

随着新系统的采用，SK 海力士计划简化现有的极紫外光刻工艺，加速下一代存储器的开发，以提升产品性能和成本竞争力。该公司还致力于巩固其在高价值存储器产品市场的地位，并进一步强化技术领导地位。