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这两年，存储市场一直是计划赶不上市场变化。

HBM 的爆火让 SK 海力士、三星和美光赚得盆满钵满，但 DRAM 市场的不确定性也让他们倍感焦虑。

据报道，继今年第一季度取得佳绩后，SK 海力士在第二季度再次荣登全球 DRAM 市场榜首。与三星电子的营收和市场份额差距进一步扩大，使 SK 海力士继续保持 DRAM 市场第一的位置。

市调机构 Omdia 指出，SK 海力士的 DRAM 市场份额（基于营收）从第一季度的 36.9% 增长至第二季度的 39.5%，连续第二个季度取得第一名。同期，三星电子的市场份额从 34.4% 下滑至 33.3%，仍位居第二。两家公司之间的差距从 2.5 个百分点扩大至 6.2 个百分点。

就营收而言，SK 海力士第二季度营收为 122.26 亿美元，三星电子为 103 亿美元，两者差距超过 19 亿美元。事实上，这两个季度也是自 1992 年三星电子成为 DRAM 市场全球第一以来，首次让位于其他 DRAM 厂商。

一场关于未来 DRAM 的巨变，正悄然发生。

既决高下，也分生死

先来说最关键的 HBM。

步入 " 后 AI" 时代，HBM 已不仅仅是高性能 AI 芯片的标配组件，更演变为存储行业激烈角逐的战略制高点。无论是三星、SK 海力士，还是美光，这些存储领域的领军企业都不约而同地将 HBM 视为未来营收增长的关键引擎。

毫无疑问的是，SK 海力士目前占据了技术和市场的双重优势。

据最新报道，SK 海力士和美光公司即将进入第六代高带宽存储器（HBM4）的最终测试阶段，该存储器将于本月供应给 NVIDIA。SK 海力士在质量测试方面处于领先地位，据称最早将于本月与 NVIDIA 敲定明年 HBM4 的批量供应合同。三星电子一直在积极努力加快测试进度，目前比竞争对手晚了约两个月。

SK 海力士与美光本月计划进行的 HBM4 质量测试目前处于客户样品（CS）阶段，旨在最终验证其是否针对 HBM4 规格进行了优化制造，以便实际搭载于 NVIDIA 计划于明年发布的 AI 半导体 "Rubin 平台 "。

目前，SK 海力士是 NVIDIA HBM4 的主要供货商。据业界消息，SK 海力士和美光计划本月向 NVIDIA 提交 HBM4 的最终 12 层样品。SK 海力士正在对价格和供货时间表进行最终调整，以完成供货谈判。

韩国证券研究员表示：" 从 HBM4 的供应计划来看，SK 海力士与 NVIDIA 明年上半年 HBM 供应量合同在 9 月份完成的可能性很大，从 CS 测试计划来看，SK 海力士初期将占据较高的市场份额。"

相对来说，三星的情况就不那么令人乐观了。

报道称，三星电子在向 NVIDIA 供应 HBM 方面屡屡遭遇失败，在 HBM4 测试进度方面也落后于 SK 海力士和美光。如果未能按时完成最终测试，不仅会限制供应量，还会削弱其与竞争对手相比的价格谈判能力。

报道指出，三星电子有信心在 HBM4 性能方面超越竞争对手。该公司将 4 纳米代工工艺应用于作为 HBM4 核心的 " 逻辑芯片 "，从而提升了性能和功耗。据了解，SK 海力士采用了台积电的 12 纳米工艺，而美光则采用了 12 纳米级 DRAM 工艺。三星电子还采用了最先进一代的 DRAM 产品，并将其堆叠在 HBM4 上。过去在 HBM 量产中被指出的发热问题和良率问题也已基本得到解决。

有意思的一点是，不论是哪一家，都在讨论所谓的 HBM 定制化。

早在两年多以前，HBM 初步崭露头角之际，海力士和三星就讨论过定制化这一趋势。伴随着云巨头纷纷定制自己的 AI 芯片，对 HBM 的需求只增不减，定制化借此成为了必然需求之一。

去年 8 月，SK 海力士副总裁柳成洙表示：" 所有 M7（Magnificent 7，指的是标准普尔 500 指数中的七大科技股：苹果、微软、谷歌 Alphabet、亚马逊、Nvidia、Meta 和特斯拉）公司都来找我们，要求我们做定制 HBM。"

今年 6 月，韩国媒体表示，SK 海力士已同时锁定了英伟达、微软、博通等有望成为定制 HBM 市场 " 重量级客户 " 的公司。其近期已与英伟达、微软、博通达成协议，将向其供应定制型 HBM，并已开始根据各家公司的需求开展设计工作。

在今年的美光科技交流会上，美光同样表示出于下游客户越发个性化的需求，业内已经越来越倾向于定制化的 HBM 产品，未来同样会在这方面进行布局。

SK 海力士在今年 4 月宣布，从第七代 HBM（HBM4E）开始将转向定制化，其已和台积电展开合作。计划在 HBM4 基础裸片上采用台积电的先进逻辑工艺，预计其首批定制 HBM 产品预计将于明年下半年问世。

据了解，定制化 HBM（cHBM）的关键在于将基础芯片（base die）的功能集成进由 SoC 团队设计的逻辑芯片（logic die）中。这一集成过程赋予 SoC 设计人员更大的灵活性和更强的对 HBM 核心芯片堆栈访问的控制能力。设计人员可以更紧密地集成内存与处理器芯片，并根据具体应用在功耗、性能与面积之间进行优化。

从 HBM4 到定制化 HBM，新任霸主 SK 海力士似乎已经全方位领先。

DDR4 的意外回归

HBM 之外，最让人感到意外的，还得是 DDR4 的突然回暖。

由于 SK 海力士、三星和美光今年同时宣布在年内停止 DDR4 的生产，导致了市场出现供应短缺，在过去几个月时间里，DDR4 内存现货价格持续飙升。美光、三星和 SK 海力士于今年年初宣布，将在 2025 年底停止 DDR4 内存的生产；随后长鑫存储于今年 5 月也宣布跟进。受停产消息影响，DDR4 内存现货价格出现疯涨情况。

据 DRAMeXchange 最新数据，DDR4 16Gb ( 1Gx16 ) 3200 的平均现货价格达到 16 美元。而 DDR5 ( 2Gx8 ) 4800/5600 现货价格为 6.095 美元，DDR4 价格已是其 2.6 倍。

在此背景下，不仅南亚科技等较小规模的厂商已决定延长 DDR4 生产，就连原本计划彻底淘汰 DDR4 的大厂也开始吃回头草。

据报道，三星电子和 SK 海力士正在推迟淘汰 DDR4 DRAM 的计划，并将生产期限延长至 2026 年，因为旧款芯片的价格已飙升至下一代 DDR5 的价格。韩国《每日经济新闻》援引业内消息人士称，三星原本计划在 2025 年停止 DDR4 的生产，但后来修改了计划。SK 海力士也已通知客户类似的调整，其无锡工厂预计将利用旧生产线提高产量。

由于较旧的 DDR4 生产线已经完全折旧，尽管 DDR5 的速度是 DDR4 的两倍，能效也提高了约 30%，但其利润率现在仍然高于 DDR5。业内观察人士认为，三星和海力士有望从 DDR4 的意外反弹中获益最多。

DDR4 的回归，为本来不甚明朗的传统 DRAM 市场，投下了一缕难得的阳光。

传统 DRAM 面临挤压

不过，DDR4 此前所谓的停产涨价只是传统 DRAM 受到挤压的一个缩影。

据韩媒报道，三星电子、SK 海力士等主要存储器企业正全力推动下一代 HBM 的商业化进程。由此，通用 DRAM 的生产能力和晶圆投入量有所下降，面临价格上涨的压力。行业人士透露，今年下半年及明年初，通用 DRAM 的价格预计将高于此前预期。

报道指出，三星电子、SK 海力士等主要存储器企业自今年起，集中力量为 NVIDIA 供应 HBM4 做准备。据了解，第三季度 NVIDIA 大量申请 HBM4 样品，两家公司均增加了用于 HBM4 样品制作的晶圆投入量。估算规模约为每月 1 万至 2 万片，考虑到仅是样品，这一数量相当可观。

HBM 是通过将多颗 DRAM 垂直堆叠以提升数据处理性能的存储器。目前已商业化的 HBM3E 采用 8 层或 12 层堆叠制作。正在样品测试阶段的 HBM4 同样采用 12 层堆叠。不过，HBM4 相较于前一代，在 I/O 数量翻倍、DRAM 容量扩大等方面有较大技术进步，因此初期良率较低。如果良率不高，为满足客户需求，只能进一步增加晶圆投入量。

由于设备投资大多集中在 HBM，通用 DRAM 的生产能力呈逐步下降趋势。三星电子正投资提升用于 HBM4 的 1c DRAM 产能，今年计划达到每月 6 万片。SK 海力士也持续进行 1b DRAM 产能扩张的改造投资。

市场研究公司 Omdia 最近将服务器用 64GB DDR5 季末价格预测从 255 美元上调至 276 美元；移动端 8GB DDR5 从 18.7 美元上调至 19.2 美元；PC 16GB DDR5 从 44.7 美元上调至 46.5 美元。

IBK 投资证券研究员表示：" 尽管设备投资达到历史最高水平，但 HBM 占用的晶圆产能越来越多，成熟 DRAM 结构性受到制约。即便通用 DRAM 的需求增加，也无法大幅扩产，这种结构性不平衡明年可能再次出现，市场可能面临价格快速上涨的局面。"

尽管 DDR4 再度回归，但依旧无法改变 HBM" 受宠 " 的现实情况。

设备竞争白热化

在技术之外，DRAM 生产设备也在发生着剧变。

首先值得关注的，就是近日 SK 海力士宣布，首次在利川 M16 Fab 准备了量产用 "High NA 极紫外线（EUV）" 设备，引领新一代 DRAM 的生产。

High NA EUV 设备是采用比现有 EUV 更大的 NA 来提高分辨率的新一代曝光设备。可以实现最细微的电路模式，有望在缩小线幅及提高集成度方面发挥核心作用。

据了解，SK 海力士此次引进的设备是荷兰 ASML 的 " 双扫描 EXE:5200B"，是 High NA EUV 最早的量产用机型。该设备是比现有的 EUV（NA 0.33）提高 40% 的光学技术，可以形成 1.7 倍的精密电路，可以实现 2.9 倍的集成度。

SK 海力士计划通过引进该设备，简化现有的 EUV 工艺，提高新一代存储器开发速度，同时确保产品性能和成本竞争力。期待以此强化在高附加值存储器市场的地位，进一步巩固技术领导力。

同样不能忽视的，还有来自下一代混合键合设备的激烈竞争。

混合键合技术通过铜与铜的直接连接（copper-to-copper bonding），实现 DRAM 芯片堆叠，无需传统的凸点（bump）结构，这种方式不仅能显著缩小芯片尺寸，还能将能效与整体性能提升一倍以上。

据业内人士透露，截至 5 月 7 日，三星电子与 SK 海力士正推进将混合键合技术用于其下一代 HBM 产品的量产。预计三星最快将于明年在 HBM4 中采用该技术，而 SK 海力士则可能在第七代产品 HBM4E 中率先引入。

随着混合键合市场的初步开启，该技术有望引发半导体设备领域的一场重大洗牌。为抢占先机，美国的应用材料公司已收购全球唯一具备混合键合先进设备量产能力的企业——荷兰 Besi 公司 9% 的股份，并率先将其混合键合设备导入系统级半导体市场。

目前，半导体混合键合机设备领域的领先企业包括荷兰的 BE Semiconductor Industries NV（Besi）和美国的应用材料这两家公司。

BESI 是全球封装设备领域的重要玩家，较早看到了混合键合在高端封装、HBM 堆叠和 3D NAND 领域的潜力。自 2019 年起，BESI 就与 Imec、台积电等机构合作开发混合键合设备，成为最早布局该技术的厂商之一。

应用材料在 2020 年前后便启动混合键合工艺平台的布局，视其为延续摩尔定律的关键技术路线之一。公司将其混合键合平台命名为 "Hybrid Bonding Integrated Solution"，将设备与晶圆制程数据平台高度耦合。

值得关注的是，在今年 4 月，应用材料收购了 BESI 9% 的股份，此次交易使其超过贝莱德机构信托，成为了 BESI 的最大股东，未来美国的应用材料和荷兰的 BESI 在混合键合上可能会有更多合作。

面对欧美厂商的来势汹汹，韩系的半导体设备厂得益于地缘优势，近两年在混合键合设备上表现得尤为积极。韩美半导体在 2022 年正式宣布进军混合键合设备市场，目标是为韩系客户提供国产替代方案。韩华半导体同样开始参与混合键合设备市场的竞争，采取并购 + 自研方式推进。

此外，LG 电子也正着手研发用于高带宽存储器的混合键合机，正式进军半导体设备市场。该公司设定了到 2028 年实现混合键合机量产的目标。

混合键合机和 High NA EUV 光刻机，可能在未来相当长一段时间里都是存储生产设备行业关注的重点。

写在最后

从定制化 HBM 到混合键合，从新一代中介层到融合型存储架构，HBM 技术正在加速演进，迭代节奏愈发迅猛。

但在这场高度复杂的技术竞赛中，唯有具备系统级视野、并能深度整合多维工艺与生态资源的玩家，才有机会脱颖而出。随着 SK 海力士将基础裸片代工交由台积电，DRAM 厂商在 HBM 制造流程中的主导能力已逐步减弱。这一技术体系已不再是单一厂商可以独自完成的任务，而是一个需要多方协同、跨界整合的新战场。

究竟是 SK 海力士、三星，还是美光将在未来占据上风，答案仍未揭晓。但可以确定的是，在后 AI 时代，DRAM 市场的竞争才刚刚开始，而且只会愈演愈烈。这场变革不仅重塑了存储产业的竞争格局，更为整个半导体生态系统带来了前所未有的挑战与机遇。

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