来源：内容编译自 wccftech。

当三星开始开发并最终量产 2 纳米以下晶圆时，采购 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机的成本将变得高昂。但如果三星想与半导体领域最大的竞争对手台积电竞争，就必须承担这一风险。

据报道，为了使这一过渡更加顺利，韩国计划取消进口相关设备的关税，以帮助三星实现其预期目标。此外，三星也正在发挥自己的作用，因为它已于 3 月份安装了一台用于 1.4 纳米晶圆生产的高数值孔径 EUV 光刻机。

尽管此前有传言称三星已取消其 1.4nm 工艺的开发，但这家半导体制造商显然已经找到了解决 2nm GAA 节点良率问题的方法，其 Exynos 2600 据称将于今年晚些时候投入量产 。在证明其下一代节点的性能与台积电 2nm 架构相当且能够实现更高产量后，三星自然会进入芯片组制造之外的下一个阶段：接受客户订单。

据《经济新闻日报》报道，为了帮助其计划取得成果，韩国政府将把关税降至零，以提升竞争力。毕竟，此前有报道称，这家半导体制造商已订购更多 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机 ，旨在提高 2 纳米晶圆的产量。这些设备每台售价约 4 亿美元，即使没有关税，价格也已经高得离谱。如果三星希望在技术实力方面与台积电相提并论，就必须降低整体成本。

至于目前安装的机器是用于 1.4nm 制程生产的，三星今年早些时候从 ASML 采购了 EXE:5000，并将其安装在其华城工厂。该公司可能专注于 2nm 晶圆的生产，但报告指出，三星最终希望在 2027 年开始量产 1.4nm 芯片，从而有整整一年的时间来实现对台积电的领先优势。

分析师指出，三星半导体事业近期压力甚大，该公司高频宽记忆体（HBM）发展脚步落后 SK 海力士，截至今年第 2 季，已连续两季让出蝉联多年的全球 DRAM 霸主宝座给 SK 海力士。

另一方面，根据研调机构集邦科技（TrendForce）最新统计，三星今年第 2 季虽仍居全球晶圆代工二哥，但与龙头台积电市占差距扩大至 62.9 个百分点，为历来最大。三星丢失 DRAM 一哥宝座，与台积电晶圆代工市占差距又是史上最大，对这家南韩科技业巨头而言可谓「不好看」，因此积极追赶拼翻盘。

韩媒 The Financial News 与 The Bell 报导，三星强攻先进制程，旗下华城晶圆厂今年 3 月已引进首台 High NA EUV 微影设备 EXE:5000，正评估用于 1.4 纳米制程的晶圆代工生产，希望 2027 年量产 1.4 纳米制程芯片，紧追台积电。

与此同时，SK 海力士也宣称，旗下南韩利川的 M16 晶圆厂已组装 High NA EUV 微影设备，率产业界之先，以艾司摩尔（ASML）的 EXE:5200B 机台进行量产。 SK 海力士计划简化现行 EUV 制程，加速新一代记忆体开发，以提升产品效能和成本竞争力。

三星内部要靠提升设备精进先进制程发展之余，南韩政府也出面相挺，透过降低关键耗材进口关税至零，协助南韩半导体厂降低成本，提升竞争力。

BusinessKorea 引述根据相关部会 2 日的消息报导指出，南韩产业通商资源部计划与负责主管税务的企划财政部协商，针对包括坩埚、碳基复合材料与磨轮等八类晶圆制造设备的材料，讨论适用的配额关税。这项决定将关税优惠范围扩大至晶圆材料，而不仅限于已享配额关税的石英玻璃基板。

由于半导体制程相当复杂，各阶段都需大量材料。南韩政府这回特别决定降低关税负担的对象，是用于晶圆制程中晶棒（ingot）研磨或清洗的相关材料。

南韩政府推动调降半导体材料关税，预料将大幅减轻半导体业者的负担。业界估计，降税效益将达数千亿韩元。