【CNMO 科技消息】CNMO 从韩媒获悉，三星正加速推进京畿道平泽第五工厂（P5）的建设复工，旨在抢占新一代高带宽内存（HBM）的先发产能。

三星

据半导体行业消息，三星平泽园区 P5 工地工人已开始密集搬运钢结构并接受安全培训，预示全面施工即将启动。公司计划最早于下月重启投资并动工。该项目原定去年启动，但因半导体市场恶化而延期。

据悉，三星拟通过 P5 扩建提升 HBM 供应能力。HBM 作为垂直堆叠多块 DRAM 的高性能内存，可大幅提升数据处理速度。当前市场主导产品为第五代 HBM3E（应用于英伟达 Blackwell 芯片），三星预计本月通过其质量验证。

在向英伟达批量供应 HBM3E 后，三星计划抢占第六代 HBM4 市场先机。HBM4 将搭载于英伟达下一代 AI 加速 GPU"Rubin"。尽管三星 HBM 研发进度较 SK 海力士落后约三个月，但公司拟通过强化产能实现快速追赶。

英伟达预计明年一季度完成 HBM4 质量验证，并于下半年敲定 Rubin 系列供应商及订单量。虽然 SK 海力士可能率先获单，但业界正密切关注三星的订单进展速度。

为提前向英伟达供应 HBM4，三星计划在平泽第四工厂（P4）空置产线导入 10 纳米级第六代（1c）DRAM 工艺，以行业最先进制程量产 HBM4 专用 DRAM。目前三星已完成 HBM4 内部量产批准，正筹备样品生产以推进客户供应谈判。样品生产系大规模量产前向客户提供少量试制芯片的关键阶段。

半导体行业人士指出：" 内存市场预计明年起逐步复苏，HBM 需求将持续增长。三星此举旨在预先确保产能以把握机遇。"KB 证券分析师金东元预测：" 三星将通过明年一季度平泽园区扩建提升 2026 年 HBM 市场份额，且极有可能在四季度启动 HBM4 初期生产。"