快科技 9 月 9 日消息，据报道，美国政府正在考虑将三星和 SK 海力士的中国晶圆厂的设备进口许可改为年度许可证。

这一改动将明显增加监管复杂性，但至少可以保持晶圆厂运营的连续性。

此前，三星和 SK 海力士享有经过验证的最终用户（VEU）身份，能够基于事先遵守美国措施，获得进口受限晶圆厂设备的全面批准，从而大大简化了运营流程，这些许可将在今年年底到期。

前不久有报道称美国已将英特尔、SK 海力士和三星从该计划中移除。

而美国商务部最近向韩国官员提出了一个 " 场地许可证 " 模式以取代 VEU，根据这一模式，三星和 SK 海力士每年需要申请一次，以获得一组固定设备和材料的许可，并提前指定数量。

美国的相关限制涉及用于制造 16nm 及更先进节点的 FinFET 晶体管逻辑芯片、半间距为 18nm 的 DRAM 以及 128 层及以上 3D NAND 闪存的美国工具。

这些限制始于 2022 年，英特尔、三星、SK 海力士和台积电此前获得了豁免，以简化其在中国的晶圆厂运营。