2025 年 9 月 9 日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团（总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称 " 舍弗勒 "）宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆 SiC（碳化硅）MOSFET 裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。

作为电驱动总成系统的核心部件，此次采用罗姆 SiC MOSFET 的逆变砖，对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。这款高性能逆变砖突破电动汽车牵引逆变器领域通常支持的 800V 电压，可支持更高的电池电压，并实现了 650Arms 的峰值电流输出。凭借罗姆的 SiC 技术，该产品不仅实现了高效率和高输出功率，还实现了产品小型化，将作为推动下一代电动汽车普及的重要产品投入市场。

罗姆与舍弗勒（原 Vitesco Technologies）自 2020 年起建立战略合作伙伴关系。2023 年，双方签署碳化硅功率器件相关的长期供应协议，增强对提升电动汽车性能至关重要的 SiC 芯片的供应体系。此次新产品的量产启动，表明这种良好合作关系正在稳步取得积极成效。

逆变砖

SiC MOS 晶圆

舍弗勒集团 电驱动事业部 CEO 陶斯乐（Thomas Stierle）表示：" 在电动出行解决方案领域，我们通过采用可扩展与模块化的策略，成功开发出适用于从单独部件到高集成度电驱桥的逆变砖。我们以通用平台开发为基石，成功在短短一年内针对中国市场日益普及的 X in 1 架构开发出优质产品并投入量产。"

罗姆 董事兼常务执行官 伊野 和英表示：" 舍弗勒逆变砖能够采用罗姆第 4 代 SiC MOSFET 并实现量产，我们深感荣幸。罗姆的 SiC 技术可显著提升电动汽车的效率和性能，通过与舍弗勒的合作，将进一步推动汽车产业的创新与可持续发展。"  

舍弗勒集团 电驱动事业部 CEO 陶斯乐（Thomas Stierle）（左）与罗姆   董事兼常务执行官 伊野   和英（右）