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三星HBM4逆袭成功:祭出顶级1c工艺 性能暴涨37%
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快科技 9 月 21 日消息,在 HBM 内存市场上,原来的内存一哥三星大大落后于 SK 海力士和美光,是第三家实现量产的,但在 HBM4 上三星志在必得。

日前有消息称三星的 HBM3e 在量产 18 个月后终于获得了 NVIDIA 的认证,再加上之前获得了 AMD 的认证,现在也算是拿到了供货的凭证。

不过考虑到 SK 海力士已经在 HBM3e 上占据先发优势,三星恐怕很难抢到多少市场,他们的目标实际上放在了最新的 HBM4 内存上。

前不久 SK 海力士宣布全球首发量产 HBM4,但他们使用的还是第五代 10nm 级工艺 1b,三星直接把最先进工艺用于 HBM4 了,在平泽的 P5 工厂直接上马了第六代 10nm 级 DRAM 工艺—— 1c 工艺。

凭借 1c 工艺以及 4nm 逻辑工艺上的积累,三星将 HBM4 的频率做到了 11Gbps,这意味着它比标准版 HBM4 的 8Gbps 性能提升了 37.5%。

NVIDIA 为了对抗 AMD 明年的 MI450 系列 AI 显卡,正在要求供应商将 HBM4 的频率提升到 10Gbps,三星率先做到 11Gbps,显然有助于他们获得 NVIDIA 的订单。

现在三星算是在技术上先逆袭了,不过最终能不能拿下 NVIDIA 及 AMD 的订单,还得看后续,包括产能及定价。

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