存储芯片巨头美光科技不但交了一份骄人的上财季成绩单，还提供了比华尔街预期更强劲的本财季指引，传出人工智能（AI）需求格外强劲的好消息。

美光截至上月末的第四财季业绩加速增长，超越本已上调的公司指引。AI 基础设施建设关键产品——高带宽内存（HBM）继续强劲增长、营收创新高，推动整个数据中心业务全财年创新高。美光还预计，本财季的营收将刷新前一季所创的最高纪录，且增幅碾压分析师预期。

至此，美光已连续七个季度实现盈利。通常 DRAM（内存）周期持续六到八个季度。这次财报带来了 AI 繁荣有望延长周期的好消息。评论认为，指引提供了 AI 需求在提振美光销售的迹象，证明美光已成为 AI 领域支出增长的主要受益者，其 HBM 对开发 AI 模型的芯片和系统至关重要，让公司能获得丰厚利润。

财报公布后，周二收涨逾 1% 的美光股价拉升，盘后一度涨超 4%，此后涨幅收窄到 1% 以内。

美东时间 9 月 23 日周二美股盘后，美光科技公布截至 2025 年 8 月 28 日的 2025 财年第四财季（下称四季度）财务数据，并提供 2026 财年第一财季（一季度）业绩指引。

1）主要财务数据：

营业收入：四季度营收约为 113.2 亿美元，同比增长 46%，分析师预期 111.5 亿美元，公司指引为 111 亿至 113 亿美元，上一财季同比增长 36.6%。

EPS：四季度非 GAAP 口径下调整后的稀释后每股收益（EPS）为 3.03 美元，同比增长 156.8%，分析师预期 2.86 美元，公司指引为 2.78 至 2.92 美元，上一财季同比增长 208%。

营业利润：四季度调整后营业利润为 39.55 亿美元，同比增长 126.6%，分析师预期 37.23 亿美元，上一财季同比增长 164.6%。

毛利率：四季度调整后毛利率为 45.7%，同比提高 9.2 个百分点，分析师预期 44.1%，公司指引为 44% 至 45%，上一财季为 39%。

2）细分业务数据：

DRAM：四季度 DRAM（内存）营收 90 亿美元，环比增长 27%，约占总营收的 79%，上一财季环比增长 15%、占总营收 76%。

NAND：四季度 NAND（闪存）营收 23 亿美元，环比增长 5%，约占总营收的 20%，上一财季环比增长 16%、占总营收 23%。

3）业绩指引：

营收：一季度营收预计为 125 亿美元、上下浮动 3 亿美元，即指引区间为 122 亿至 128 亿美元，分析师预期 119 亿美元。

EPS：一季度调整后的稀释后 EPS 为 3.75 美元、上下浮动 0.15 美元，即指引区间为 3.60 至 3.90 美元，分析师预期 3.05 美元。

毛利率：一季度调整后的毛利率为 51.5%、上下浮动 1 个百分点，即指引区间为 50.5% 至 52.5%。

四季度营收超预期增长 46% EPS 超过已大幅上调的指引 HBM 营收创新高

一个月前，美光因 DRAM 定价有所改善而将全面上调四季度业绩指引，其中营收指引区间的低端上调 6.7%、高端上调 2.7%，EPS 指引区间大幅上调至少约 10%，毛利率指引区间至少上调 2 个百分点。

本周二公布的财报显示，美光四季度营收较前一季加快增长，同比增速从前一季度的不足 37% 提升到 46%，营收接近 113.2 亿美元，刷新前一季所创的单季最高纪录，而且超过了公司的整个指引区间，分析师预期还接近指引区间的低端。

美光全财年的营收同比增长 49%，至创纪录的 374 亿美元。

美光四季度的 EPS 保持三位数同比增速，同比增长超一倍至 3.03 美元，较分析师预期高近 6%。四季度 EPS 和毛利率均高于公司的整个上调后指引区间。

财报显示，四季度 HBM 营收创单季新高，包括为数据中心客户提供 HBM 在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务（CMBU）营收 45.43 亿美元，同比增长 213.5%。

美光 CEO Sanjay Mehrotra 评论称，美光 2025 财年取得了创纪录的业绩，其中四季度的表现尤其出色，证明了公司在技术、产品和运营方面的领先地位。2025 财年，美光的数据中心业务取得了历史最佳业绩，并以强劲的势头和迄今最具竞争力的产品组合进入 2026 财年。

一季度营收料增超 40% EPS 再翻倍增长

业绩指引显示，美光预计，一季度，美光将史上首次单季营收超过 120 亿美元，继续四季度之后再创营收纪录。而分析师预期还不足 120 亿美元。美光的整个指引区间都高于分析师预期。

一季度的营收指引区间中值为 125 亿美元，意味着营收将同比增长 43.5%，较分析师预期营收高约 5%。

一季度 EPS 指引中值 3.75 美元意味着，EPS 将同比增长 109.5%，较分析师预期高约 23%。

市场形势方面，美光预计，到自然年 2026 年、即明年，DRAM 市场供应将继续紧张，NAND 市场状况将持续好转。中期来看，美光预计 DRAM 和 NAND 的行业需求复合年增长率将达到 15% 左右。

美光上调了 2025 自然年、即今年的行业需求增长预期。目前美光预计，今年全球行业 DRAM Bit 需求增长率将超过 15%，略高于公司之前预测。美光还预计，今年全球的行业 NAND Bit 需求增长率也将高于之前的预测，预计增速在 10% 至 15%。

美光在 2025 财年共投入 138 亿美元用于资本支出，同比增长约 70%。由于持续加大对 1 γ DRAM 和 HBM 相关技术的投资，美光预计，2026 财年的资本支出将高于 2025 财年水平。美光预计一季度资本开支大约 45 亿美元，同比增近 44%，高于分析师预期 39 亿美元。

HBM 客户扩大至六家 未来几个月明年 HBM 将订购一空

公布财报的同时，美光 CEO Sanjay Mehrotra 透露，美光的 HBM 客户群已扩大至六家，并预计未来几个月，美光明年的 HBM 产品就都将订购一空。他说：

" 我们已经与几乎所有客户就 2026 自然年大部分 HBM3E 产品的价格达成协议。我们正在与客户积极讨论 HBM4 产品的规格和供货量，预计在未来几个月内，我们将与客户达成协议，实现 2026 年剩余 HBM 产品销罄。"

HBM4 是目前 HBM3 标准的进化版，提供更高的带宽、更低的功耗和更大的芯片容量。它具备 2048 位元接口，每个内存堆叠的传输速率超过 2.0 TB/s，性能较前代提升超 60%，功耗较美光目前业内领先的 HBM3E 12H 产品低 20%。

美光从 6 月开始向主要客户发送其 36GB HBM4 12H（12 层堆叠）内存样品。本次财报称，近期已向客户交付 HBM4 产品样品。尽管外界对 HBM4 带宽和引脚速度方面的性能要求不断提高，美光的 HBM4 12H 产品仍按计划推进，能够满足客户平台扩容的需求。