快科技 9 月 28 日消息，据报道，俄罗斯计算机与数据科学博士 Dmitrii Kuznetsov 近日分享了俄罗斯最新光刻机研发路线图。

根据该路线图，俄罗斯最终目标是在 2036 年前完成可用于 10nm 以下先进制程的极紫外线（EUV）光刻机的研发。

具体来看分为三个主要阶段：

第一阶段（2026-2028 年）的目标是研发支持 40nm 工艺的光刻机，配备双反射镜物镜系统，套刻精度达 10nm，曝光场最大 3 × 3 毫米，每小时生产效率超 5 片晶圆。

第二阶段（2029-2032 年）将推出分辨率为 65-28nm（潜力为 14 nm）的光刻机，采用四反射镜光学系统，套刻精度提升至 5nm，曝光场 26 × 0.5 毫米，每小时生产效率超 50 片晶圆。

第三阶段（2033-2036 年）推出分辨率为 28-13nm（潜力为 9nm）的光刻机，搭载六反射镜配置，套刻精度达 2nm，曝光场最大 26 × 2 毫米，每小时生产效率超 100 片晶圆。

这些设备预计可覆盖 65nm 至 9nm 的制程需求，适配 2025-2027 年主流关键层工艺。

不过需要注意的是，该 EUV 系统方案并未复制 ASML 的架构，而是采用了一套不同的技术体系：混合固态激光器、基于氙等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru/Be）制成的 11.2nm 波长反射镜。