（全球 TMT2025 年 10 月 2 日讯）全球硅智财（IP）领先供应商円星科技（M31 Technology Corporation，下称 M31）于台积公司北美开放创新平台（OIP）生态系论坛宣布，延续先前在台积电 N12e 制程上成功验证的低功耗 IP 解决方案，M31 进一步扩展至 N6e 平台，推出全新超低漏电（ULL）、极低漏电（ELL）以及低电压操作（Low-VDD）存储器编译器。同时，M31 再度荣获 2025 年台积公司 OIP 年度合作伙伴特殊制程 IP 奖，这是 M31 连续第八年获得此殊荣。

M31 获颁 " 台积电 2025 OIP 矽智财伙伴奖 " --M31 总经理 - 张原熏 ( 左 )

基于台积公司 N6e 先进制程开发的这系列存储器编译器，专为 AI 边缘运算与物联网（IoT）装置打造，进行极致低功耗优化设计，并提供采用 LL、ULL 与 ELL SRAM bit cells 的定制化解决方案。其中，N6e 制程 ULL 存储器编译器具备高密度、高性能的 SRAM 与 One Port Register File，并支持冗余（Redundancy）、电源闸控（Power Gating）、扫描测试（Scan）、内建自我测试（BIST）MUX 以及宽频范围 Dual-rail，能够实现动态电压与频率调整（DVFS），并采用 High Sigma 设计方法，确保在严苛边界条件下依然稳健运行。ELL 存储器编译器则进一步提升功耗效率，在深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）下可降低高达 50% 功耗。此外，低电压（Low-VDD）存储器编译器可在仅 0.5V 的操作电压下运行，大幅降低动态与漏电功耗。