10 月 16 日，A 股存储芯片、半导体板块延续近期强势，盘中再度集体冲高。截至发稿，尽管板块整体涨幅有所回落，但仍保持活跃态势。

个股方面，云汉芯城强势封住 20CM 涨停，香农芯创涨近 16%，三孚股份、德明利、睿能科技等多股涨停，开普云、江波龙等个股跟涨。

自 9 月初以来，该板块累计涨幅已近 20%，若从 4 月 9 日年内低点计算，累计涨幅接近 69%，展现出强劲的上涨动能。

产业链价格持续上涨

受海外巨头产能战略性收缩、AI 算力需求爆发等因素驱动，全球存储芯片行业正步入一轮供需关系逆转的 " 超级周期 "。

为了将产能向高附加值的 HBM（高带宽内存）倾斜，三星、美光、SK 海力士等国际大厂自今年 4 月起，陆续削减 DDR4 等传统产品产能，直接导致 DDR4、LPDDR5 等成熟制程产品出现显著供应缺口。

尽管三星与 SK 海力士近期已将 DDR4 生产计划延长至 2026 年以应对市场需求，但整体供给紧张局面仍未缓解。

持续的供不应求推动存储芯片价格进入全面上涨通道。闪迪率先宣布产品价格上调 10% 以上，美光随后向渠道发出 20% – 30% 的涨价通知。三星近日亦向大客户更新第四季度 LPDDR4X、LPDDR5/5X 等 DRAM 产品协议价，预计涨幅达 15% – 30%。

需求侧的爆发则是此轮周期的核心驱动力。AI 算力需求的爆发催生了 HBM 的 " 记忆刚需 "，而美国国家级 AI 基础设施计划 " 星际之门 " 的推进则进一步放大了这一需求。

业内估计，仅 OpenAI 相关需求就可能达到每月 90 万片晶圆，约为当前全球 HBM 总产能的两倍。10 月初，三星与 SK 海力士双双宣布将为 " 星际之门 " 供应 HBM 芯片，意味着 HBM 需求未来将进入爆发阶段。

美光科技 CEO 指出，预计全球存储芯片（尤其 HBM）供需失衡态势将持续加剧，因为 DRAM 库存已低于目标水平，NAND 库存亦持续下降。同时，明年 HBM 产能已基本锁定，需求增长显著，2026 年 HBM 出货量增速预计超整体 DRAM，成存储板块核心增长动力。

此外，TrendForce 集邦咨询指出，由于三大 DRAM 原厂持续优先分配先进制程产能给高阶 ServerDRAM 和 HBM，排挤 PC、Mobile 和 Consumer 应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程 DRAM 价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和。预计第四季度一般型 DRAM 价格将环比上涨 8 – 13%，计入 HBM 后整体涨幅将扩大至 13 – 18%。

摩根士丹利更是认为，在人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来一个 " 超级周期 "。预计今年第四季度，动态随机存取存储器 DRAM 的价格将环比上涨约 9%。

国内存储芯片企业迎来机遇

当前，全球存储芯片格局正经历深刻变革。

随着三星、美光等国际大厂将 DDR4 等成熟制程产能转向高附加值的 HBM 领域，全球市场出现显著供给缺口，为国内存储芯片企业承接溢出需求提供了重要机遇。

与此同时，在 HBM 产业链关键环节，国内企业正逐步实现突破。尽管尚未完成 HBM 产品的自主量产，但在封装材料、特种气体、测试接口及电源管理芯片等配套领域，已有部分国内供应商通过技术突破，成功切入全球高端供应链体系。

这意味着海外 AI 算力需求的爆发有望通过产业链传导，直接转化为对国内配套企业的实质性订单。

展望后市，德邦证券研报认为，存储芯片于 2024 年开启新上行周期，核心受益于 AI 基建带来的需求增长。前两轮周期本质更多依托消费端发力，而本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在 AI 时代的算力基建，持续性可能更强。

TrendForce 集邦咨询指出，进入 2026 年，三星、海力士、美光三大存储巨头预计均会持续快速将产能升级至先进制程，同时减少成熟制程的产能比重。对国内公司而言，将有更多机会在国内云服务商中争取供应份额，或在全球范围内的成熟制程产品争取供应份额。